ក្រដាសបិទភ្ជាប់ LiNbO3

រូបភាពដែលមានលក្ខណៈពិសេស LiNbO3 Bonding wafer

ការពិពណ៌នាសង្ខេប៖

គ្រីស្តាល់ Lithium niobate មានលក្ខណៈសម្បត្តិអេឡិចត្រូអុបទិក សូរស័ព្ទ អុបទិក ភីហ្សូអេឡិចត្រិច និងគ្មានលីនេអ៊ែរ។ គ្រីស្តាល់លីចូម niobate គឺជាគ្រីស្តាល់ពហុមុខងារដ៏សំខាន់ជាមួយនឹងលក្ខណៈសម្បត្តិអុបទិក nonlinear ល្អ និងមេគុណអុបទិក nonlinear ធំ; វាក៏អាចសម្រេចបាននូវការផ្គូផ្គងដំណាក់កាលដែលមិនសំខាន់ផងដែរ។ ជាគ្រីស្តាល់អេឡិចត្រូអុបទិក វាត្រូវបានគេប្រើជាសម្ភារៈរលកអុបទិកដ៏សំខាន់។ ជាគ្រីស្តាល់ piezoelectric វាអាចត្រូវបានប្រើដើម្បីធ្វើតម្រង SAW ប្រេកង់មធ្យម និងទាប ឧបករណ៍ប្តូរ ultrasonic ធន់នឹងសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ ល។

ផ្ញើអ៊ីមែលមកយើង

ព័ត៌មានលម្អិតអំពីផលិតផល

ស្លាកផលិតផល

LiNbO3 Bonding Wafer របស់ Semicera ត្រូវបានរចនាឡើងដើម្បីបំពេញតម្រូវការខ្ពស់នៃការផលិត semiconductor កម្រិតខ្ពស់។ ជាមួយនឹងលក្ខណៈសម្បត្តិពិសេសរបស់វា រួមទាំងភាពធន់នឹងការពាក់ល្អ ស្ថេរភាពកម្ដៅខ្ពស់ និងភាពបរិសុទ្ធដ៏ល្អ wafer នេះគឺល្អសម្រាប់ប្រើក្នុងកម្មវិធីដែលទាមទារភាពជាក់លាក់ និងដំណើរការបានយូរ។

នៅក្នុងឧស្សាហកម្ម semiconductor, LiNbO3 Bonding Wafers ត្រូវបានគេប្រើជាទូទៅសម្រាប់ការភ្ជាប់ស្រទាប់ស្តើងនៅក្នុងឧបករណ៍ optoelectronic ឧបករណ៍ចាប់សញ្ញា និង ICs កម្រិតខ្ពស់។ ពួកគេត្រូវបានគេវាយតម្លៃជាពិសេសនៅក្នុង photonics និង MEMS (Micro-Electromechanical Systems) ដោយសារតែលក្ខណៈសម្បត្តិ dielectric ដ៏ល្អឥតខ្ចោះរបស់ពួកគេ និងសមត្ថភាពក្នុងការទប់ទល់នឹងលក្ខខណ្ឌប្រតិបត្តិការដ៏អាក្រក់។ LiNbO3 Bonding Wafer របស់ Semicera ត្រូវបានបង្កើតឡើងដើម្បីគាំទ្រដល់ការភ្ជាប់ស្រទាប់យ៉ាងច្បាស់លាស់ បង្កើនការអនុវត្តរួម និងភាពជឿជាក់នៃឧបករណ៍ semiconductor ។

លក្ខណៈកំដៅ និងអគ្គិសនីនៃ LiNbO3
ចំណុចរលាយ	1250 ℃
សីតុណ្ហភាពគុយរី	១១៤០ ℃
ចរន្តកំដៅ	38 W/m/K @ 25 ℃
មេគុណនៃការពង្រីកកម្ដៅ (@25°C)	//a, 2.0 × 10^-6/ ខេ // គ, ២.២ × ១០^-6/ ខេ
ភាពធន់	2 × 10^-6Ω·cm @ 200 ℃
ថេរ Dielectric	εS11/ε0=43,εT11/ε0=78 εS33/ε0=28,εT33/ε0= 2
ថេរ piezoelectric	D₂₂= 2.04 × 10^-១១គ/ន D₃₃= 19.22 × 10^-១១គ/ន
មេគុណអេឡិចត្រូអុបទិក	γT₃₃=32pm/V, γS₃₃= 31pm/V, γT₃₁= 10pm/V, γS₃₁= 8.6pm/V, γT₂₂= 6.8 ល្ងាច/V, γS₂₂= 3.4pm/V,
វ៉ុលពាក់កណ្តាលរលក, DC វាលអគ្គិសនី // z, ពន្លឺ⊥ Z; វាលអគ្គិសនី // x ឬ y ពន្លឺ ⊥ z	3.03 គីឡូវ៉ុល 4.02 គីឡូវ៉ុល

ផលិតឡើងដោយប្រើវត្ថុធាតុដើមគុណភាពខ្ពស់ LiNbO3 Bonding Wafer ធានានូវភាពជឿជាក់ជាប់លាប់ ទោះបីជាស្ថិតក្រោមលក្ខខណ្ឌធ្ងន់ធ្ងរក៏ដោយ។ ស្ថេរភាពកំដៅខ្ពស់របស់វាធ្វើឱ្យវាសមស្របជាពិសេសសម្រាប់បរិស្ថានដែលទាក់ទងនឹងសីតុណ្ហភាពកើនឡើង ដូចជាវត្ថុដែលត្រូវបានរកឃើញនៅក្នុងដំណើរការអេពីតាស៊ីស៊ីមខុនឌ័រ។ លើសពីនេះទៀត ភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់របស់ wafer ធានានូវការចម្លងរោគតិចតួច ដែលធ្វើឱ្យវាក្លាយជាជម្រើសដែលអាចទុកចិត្តបានសម្រាប់កម្មវិធី semiconductor ដ៏សំខាន់។

នៅ Semicera យើងប្តេជ្ញាផ្តល់ដំណោះស្រាយឈានមុខគេក្នុងឧស្សាហកម្ម។ LiNbO3 Bonding Wafer របស់យើងផ្តល់នូវភាពធន់ដែលមិនអាចប្រៀបផ្ទឹមបាន និងសមត្ថភាពដំណើរការខ្ពស់សម្រាប់កម្មវិធីដែលទាមទារភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់ ធន់នឹងការពាក់ និងស្ថេរភាពកម្ដៅ។ មិនថាសម្រាប់ការផលិត semiconductor កម្រិតខ្ពស់ ឬបច្ចេកវិទ្យាឯកទេសផ្សេងទៀតនោះទេ wafer នេះបម្រើជាធាតុផ្សំដ៏សំខាន់សម្រាប់ការផលិតឧបករណ៍ទំនើប។