PART/1 Crucible, seed holder and guide ring in SiC and AIN single crystal furnace are grown by PVT method ដូចដែលបានបង្ហាញក្នុងរូបភាពទី 2 [1] នៅពេលដែលវិធីសាស្រ្តដឹកជញ្ជូនចំហាយរូបវន្ត (PVT) ត្រូវបានប្រើដើម្បីរៀបចំ SiC នោះគ្រីស្តាល់គ្រាប់ពូជស្ថិតនៅក្នុង តំបន់សីតុណ្ហ ភាពទាបដែលទាក់ទងគ្នា, SiC r...
អានបន្ថែម