តម្លៃទាបសម្រាប់ Tubular Shape Sic Heater Silicon Carbide Heating Element

ការពិពណ៌នាសង្ខេប៖

WeiTai Energy Technology Co., Ltd. គឺជាអ្នកផ្គត់ផ្គង់ឈានមុខគេនៃសេរ៉ាមិច semiconductor កម្រិតខ្ពស់ និងជាក្រុមហ៊ុនផលិតតែមួយគត់នៅក្នុងប្រទេសចិនដែលអាចផ្តល់នូវសេរ៉ាមិចស៊ីលីកុនកាបូនដែលមានភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់ក្នុងពេលដំណាលគ្នា (ជាពិសេសគ្រីស្តាល់ឡើងវិញ SiC) និងថ្នាំកូត CVD SiC ។លើសពីនេះ ក្រុមហ៊ុនរបស់យើងក៏ប្តេជ្ញាចិត្តចំពោះវិស័យសេរ៉ាមិច ដូចជា អាលុយមីញ៉ូ នីត្រាត អាលុយមីញ៉ូម ហ្សីកូនី និងស៊ីលីកុននីត្រាត ជាដើម។

ផ្ញើអ៊ីមែលមកយើង

ព័ត៌មានលម្អិតអំពីផលិតផល

ស្លាកផលិតផល

With trusted good quality system, greatstanding and excellent consumers support, the series of products and solutions produce by our organization are exported to quite a few countries and regions for Low price for Tubular Shape Sic Heater Silicon Carbide Heating Element, Welcome to arrange long- ពាក្យរៀបការជាមួយយើង។តម្លៃលក់ដែលមានប្រសិទ្ធភាពបំផុត គុណភាពជារៀងរហូតនៅក្នុងប្រទេសចិន។
ជាមួយនឹងប្រព័ន្ធគុណភាពល្អដែលអាចទុកចិត្តបាន ជំហរដ៏អស្ចារ្យ និងការគាំទ្រអ្នកប្រើប្រាស់ដ៏ល្អឥតខ្ចោះ ស៊េរីនៃផលិតផល និងដំណោះស្រាយដែលផលិតដោយអង្គការរបស់យើងត្រូវបាននាំចេញទៅកាន់ប្រទេស និងតំបន់មួយចំនួនសម្រាប់China Sic Heater ធាតុកំដៅ Silicon Carbide និងធាតុកំដៅ Sicក្នុងនាមជាដំណោះស្រាយកំពូលនៃរោងចក្ររបស់យើង ស៊េរីដំណោះស្រាយរបស់យើងត្រូវបានសាកល្បង និងបានឈ្នះយើងនូវវិញ្ញាបនប័ត្រអាជ្ញាធរដែលមានបទពិសោធន៍។សម្រាប់ប៉ារ៉ាម៉ែត្របន្ថែម និងព័ត៌មានលម្អិតនៃបញ្ជីធាតុ កុំភ្លេចចុចប៊ូតុង ដើម្បីទទួលបានព័ត៌មានបន្ថែម។

លក្ខណៈសំខាន់ៗនៃកំដៅក្រាហ្វិច៖

1. ឯកសណ្ឋាននៃរចនាសម្ព័ន្ធកំដៅ។

2. ចរន្តអគ្គិសនីល្អ និងបន្ទុកអគ្គិសនីខ្ពស់។

3. ធន់ទ្រាំនឹងការ corrosion ។

4. inoxidizability ។

5. ភាពបរិសុទ្ធគីមីខ្ពស់។

6. កម្លាំងមេកានិចខ្ពស់។

អត្ថប្រយោជន៍គឺសន្សំសំចៃថាមពល តម្លៃខ្ពស់ និងការថែទាំទាប។យើងអាចផលិតសារធាតុប្រឆាំងអុកស៊ីតកម្ម និងអាយុកាលវែង ក្រាហ្វីត ក្រាហ្វីត ផ្សិតក្រាហ្វីត និងគ្រប់ផ្នែកទាំងអស់នៃកំដៅក្រាហ្វិត។

ប៉ារ៉ាម៉ែត្រចម្បងនៃកំដៅក្រាហ្វិច

ភាពជាក់លាក់ខាងបច្ចេកទេស	Semicera-M3
ដង់ស៊ីតេភាគច្រើន (g/cm3)	≥1.85
មាតិកាផេះ (PPM)	≤500
ភាពរឹងរបស់ច្រាំង	≥45
ភាពធន់ទ្រាំជាក់លាក់ (μ.Ω.m)	≤12
កម្លាំងបត់បែន (Mpa)	≥40
កម្លាំងបង្ហាប់ (Mpa)	≥70
អតិបរមា។ទំហំគ្រាប់ធញ្ញជាតិ (μm)	≤43
មេគុណនៃការពង្រីកកំដៅ Mm/°C	≤4.4*10-6

MOCVD Substrate Heater_ ធាតុកំដៅសម្រាប់ MOCVD
With trusted good quality system, greatstanding and excellent consumers support, the series of products and solutions produce by our organization are exported to quite a few countries and regions for Low price for Tubular Shape Sic Heater Silicon Carbide Heating Element, Welcome to arrange long- ពាក្យរៀបការជាមួយយើង។តម្លៃលក់ដែលមានប្រសិទ្ធភាពបំផុត គុណភាពជារៀងរហូតនៅក្នុងប្រទេសចិន។
តម្លៃទាបសម្រាប់China Sic Heater ធាតុកំដៅ Silicon Carbide និងធាតុកំដៅ Sicក្នុងនាមជាដំណោះស្រាយកំពូលនៃរោងចក្ររបស់យើង ស៊េរីដំណោះស្រាយរបស់យើងត្រូវបានសាកល្បង និងបានឈ្នះយើងនូវវិញ្ញាបនប័ត្រអាជ្ញាធរដែលមានបទពិសោធន៍។សម្រាប់ប៉ារ៉ាម៉ែត្របន្ថែម និងព័ត៌មានលម្អិតនៃបញ្ជីធាតុ កុំភ្លេចចុចប៊ូតុង ដើម្បីទទួលបានព័ត៌មានបន្ថែម។