គ្រឿងអេឡិចត្រូនិក៖
ឧស្សាហកម្ម semiconductor អនុវត្តតាមច្បាប់ឧស្សាហកម្មនៃ "បច្ចេកវិទ្យាមួយជំនាន់ ដំណើរការមួយជំនាន់ និងឧបករណ៍មួយជំនាន់" ហើយការធ្វើឱ្យប្រសើរឡើង និងការបង្កើតឡើងវិញនូវឧបករណ៍ semiconductor ភាគច្រើនអាស្រ័យទៅលើរបកគំហើញបច្ចេកវិទ្យានៃផ្នែកជាក់លាក់។ ក្នុងចំណោមនោះ គ្រឿងបន្លាស់សេរ៉ាមិចដែលមានភាពជាក់លាក់គឺជាសម្ភារៈផ្នែកភាពជាក់លាក់ semiconductor តំណាងច្រើនបំផុត ដែលមានកម្មវិធីសំខាន់ៗនៅក្នុងតំណភ្ជាប់ផលិតកម្ម semiconductor សំខាន់ៗដូចជា ការទម្លាក់ចំហាយគីមី ការបញ្ចេញចំហាយរាងកាយ ការផ្សាំអ៊ីយ៉ុង និងការឆ្លាក់។ ដូចជា bearings, guide rails, linings, electrostatic chucks, mechanical handle arms.
ចាប់តាំងពីឆ្នាំ 2023 ហូឡង់ និងជប៉ុនក៏បានចេញជាបន្តបន្ទាប់នូវបទប្បញ្ញត្តិថ្មី ឬក្រឹត្យពាណិជ្ជកម្មបរទេសស្តីពីការគ្រប់គ្រង ដោយបន្ថែមបទប្បញ្ញត្តិអាជ្ញាប័ណ្ណនាំចេញសម្រាប់ឧបករណ៍ semiconductor រួមទាំងម៉ាស៊ីន lithography ហើយនិន្នាការនៃការប្រឆាំងសកលភាវូបនីយកម្ម semiconductor បានលេចចេញជាបណ្តើរៗ។ សារៈសំខាន់នៃការគ្រប់គ្រងឯករាជ្យនៃខ្សែសង្វាក់ផ្គត់ផ្គង់កាន់តែលេចធ្លោ។ ប្រឈមមុខនឹងតម្រូវការសម្រាប់ការធ្វើមូលដ្ឋានីយកម្មនៃផ្នែកឧបករណ៍ semiconductor ក្រុមហ៊ុនក្នុងស្រុកកំពុងជំរុញការអភិវឌ្ឍន៍ឧស្សាហកម្មយ៉ាងសកម្ម។ ក្រុមហ៊ុន Zhongci Electronics បានដឹងពីការធ្វើមូលដ្ឋានីយកម្មនៃផ្នែកជាក់លាក់នៃបច្ចេកវិទ្យាខ្ពស់ដូចជា ចានកំដៅ និងចង្កឹះអគ្គិសនី ដោយដោះស្រាយបញ្ហា "ការបិទដប" នៃឧស្សាហកម្មឧបករណ៍ semiconductor ក្នុងស្រុក។ ក្រុមហ៊ុន Dezhi New Materials ដែលជាក្រុមហ៊ុនផ្គត់ផ្គង់ក្នុងស្រុកឈានមុខគេនៃមូលដ្ឋានក្រាហ្វិចស្រោប SiC និងចិញ្ចៀនភ្ជាប់ SiC បានបញ្ចប់ដោយជោគជ័យនូវហិរញ្ញប្បទានចំនួន 100 លានយន់។ល។
ស្រទាប់ខាងក្រោមសេរ៉ាមិចស៊ីលីកុននីត្រាតដែលមានចរន្តអគ្គិសនីខ្ពស់៖
ស្រទាប់ខាងក្រោមសេរ៉ាមិច Silicon nitride ត្រូវបានប្រើជាចម្បងនៅក្នុងអង្គភាពថាមពល ឧបករណ៍ semiconductor និងអាំងវឺតទ័រនៃរថយន្តអគ្គិសនីសុទ្ធ (EVs) និងរថយន្តអគ្គិសនីកូនកាត់ (HEVs) ហើយមានសក្តានុពលទីផ្សារដ៏ធំ និងការរំពឹងទុកនៃកម្មវិធី។
នាពេលបច្ចុប្បន្ននេះ សមា្ភារៈស្រទាប់ខាងក្រោមសេរ៉ាមិចស៊ីលីកុននីត្រាតដែលមានចរន្តកំដៅខ្ពស់សម្រាប់កម្មវិធីពាណិជ្ជកម្មតម្រូវឱ្យមានចរន្តកំដៅ≥85 W/(m·K) កម្លាំងពត់កោង≥650MPa និងភាពធន់នៃការបាក់ឆ្អឹង 5~7MPam1/2។ ក្រុមហ៊ុនដែលពិតជាមានសមត្ថភាពផលិតស្រទាប់សេរ៉ាមិចស៊ីលីកុននីត្រាតដែលមានចរន្តកំដៅខ្ពស់គឺជាចម្បងក្រុមហ៊ុន Toshiba Group, Hitachi Metals, Japan Electric Chemical, Japan Maruwa និង Japan Fine Ceramics។
ការស្រាវជ្រាវក្នុងស្រុកលើសមា្ភារៈស្រទាប់ខាងក្រោមសេរ៉ាមិចស៊ីលីកុននីត្រាតក៏មានការរីកចម្រើនខ្លះដែរ។ ចរន្តកំដៅនៃស្រទាប់ខាងក្រោមសេរ៉ាមិចស៊ីលីកុននីត្រាតដែលរៀបចំដោយដំណើរការកាត់កាសែតនៃសាខាប៉េកាំងនៃក្រុមហ៊ុន Sinoma High-Tech Nitride Ceramics Co., Ltd. គឺ 100 W/(m·K); Beijing Sinoma Artificial Crystal Research Institute Co., Ltd. បានរៀបចំដោយជោគជ័យនូវស្រទាប់ខាងក្រោមសេរ៉ាមិចស៊ីលីកុននីត្រាតដែលមានកម្លាំងពត់ 700-800MPa ភាពធន់នៃការបាក់ឆ្អឹង≥8MPa·m1/2 និងចរន្តកំដៅ≥80W/(m·K) ដោយការបង្កើនប្រសិទ្ធភាពវិធីសាស្រ្ត sintering និងដំណើរការ។
ពេលវេលាប្រកាស៖ ថ្ងៃទី ២៩ ខែតុលា ឆ្នាំ ២០២៤