-
SiC Coating Wheel Gear: បង្កើនប្រសិទ្ធភាពផលិតកម្ម Semiconductor
នៅក្នុងវិស័យដែលរីកចម្រើនយ៉ាងឆាប់រហ័សនៃការផលិត semiconductor ភាពជាក់លាក់ និងភាពធន់នៃឧបករណ៍គឺជាកត្តាសំខាន់បំផុតក្នុងការសម្រេចបាននូវទិន្នផល និងគុណភាពខ្ពស់។ សមាសធាតុសំខាន់មួយក្នុងចំណោមសមាសធាតុសំខាន់ៗដែលធានាថានេះគឺជា SiC Coating Wheel Gear ដែលត្រូវបានរចនាឡើងដើម្បីបង្កើនប្រសិទ្ធភាពនៃដំណើរការ...អានបន្ថែម -
តើបំពង់ការពាររ៉ែថ្មខៀវជាអ្វី? | Semicera
បំពង់ការពាររ៉ែថ្មខៀវគឺជាធាតុផ្សំដ៏សំខាន់នៅក្នុងកម្មវិធីឧស្សាហកម្មផ្សេងៗ ដែលត្រូវបានគេស្គាល់ថាសម្រាប់ដំណើរការល្អឥតខ្ចោះនៅក្នុងលក្ខខណ្ឌធ្ងន់ធ្ងរ។ នៅក្រុមហ៊ុន Semicera យើងផលិតបំពង់ការពាររ៉ែថ្មខៀវដែលត្រូវបានរចនាឡើងសម្រាប់ភាពធន់និងភាពជឿជាក់ខ្ពស់នៅក្នុងបរិស្ថានដ៏អាក្រក់។ ជាមួយនឹងលក្ខណៈពិសេស...អានបន្ថែម -
តើ CVD Coated Process Tube គឺជាអ្វី? | Semicera
បំពង់ដំណើរការដែលស្រោបដោយ CVD គឺជាធាតុផ្សំដ៏សំខាន់ដែលប្រើក្នុងបរិយាកាសផលិតកម្មដែលមានសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ និងមានភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់ ដូចជាការផលិត semiconductor និង photovoltaic ជាដើម។ នៅក្រុមហ៊ុន Semicera យើងមានជំនាញក្នុងការផលិតបំពង់កែច្នៃ CVD ដែលមានគុណភាពខ្ពស់ ដែលផ្តល់នូវការ...អានបន្ថែម -
តើ Isostatic Graphite ជាអ្វី? | Semicera
Isostatic graphite ដែលត្រូវបានគេស្គាល់ថាជាក្រាហ្វិចដែលបង្កើតដោយ isostatically សំដៅលើវិធីសាស្រ្តដែលល្បាយនៃវត្ថុធាតុដើមត្រូវបានបង្ហាប់ទៅជាដុំរាងចតុកោណ ឬរាងមូលនៅក្នុងប្រព័ន្ធដែលហៅថា Cold isostatic Pressing (CIP)។ ការចុច isostatic ត្រជាក់ គឺជាវិធីសាស្ត្រកែច្នៃសម្ភារៈ និង...អានបន្ថែម -
តើ Tantalum Carbide ជាអ្វី? | Semicera
Tantalum carbide គឺជាសម្ភារៈសេរ៉ាមិចរឹងខ្លាំង ដែលត្រូវបានគេស្គាល់ថាសម្រាប់លក្ខណៈសម្បត្តិពិសេសរបស់វា ជាពិសេសនៅក្នុងបរិយាកាសដែលមានសីតុណ្ហភាពខ្ពស់។ នៅក្រុមហ៊ុន Semicera យើងមានជំនាញក្នុងការផ្តល់នូវគុណភាពខ្ពស់បំផុតនៃ tantalum carbide ដែលផ្តល់នូវដំណើរការល្អឥតខ្ចោះនៅក្នុងឧស្សាហកម្មដែលត្រូវការវត្ថុធាតុដើមកម្រិតខ្ពស់សម្រាប់...អានបន្ថែម -
តើបំពង់ស្នូលរបស់ Quartz Furnace ជាអ្វី? | Semicera
បំពង់ស្នូល furnace quartz គឺជាធាតុផ្សំដ៏សំខាន់នៅក្នុងបរិយាកាសដំណើរការសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ផ្សេងៗ ដែលត្រូវបានគេប្រើយ៉ាងទូលំទូលាយនៅក្នុងឧស្សាហកម្មដូចជាការផលិត semiconductor លោហៈធាតុ និងដំណើរការគីមី។ នៅក្រុមហ៊ុន Semicera យើងមានជំនាញក្នុងការផលិតបំពង់ស្នូល quartz furnace ដែលមានគុណភាពខ្ពស់ ដែលត្រូវបានគេស្គាល់ថា...អានបន្ថែម -
ដំណើរការឆ្លាក់ស្ងួត
ដំណើរការ etching ស្ងួតជាធម្មតាមានរដ្ឋមូលដ្ឋានចំនួនបួន: មុនពេល etching, etching ផ្នែក, គ្រាន់តែ etching និង over etching ។ លក្ខណៈសំខាន់គឺអត្រា etching ការជ្រើសរើស វិមាត្រសំខាន់ ឯកសណ្ឋាន និងការរកឃើញចំណុចបញ្ចប់។ រូបភាពទី 1 មុនពេលឆ្លាក់រូប រូបភាពទី 2 ការឆ្លាក់ដោយផ្នែក រូបភាព...អានបន្ថែម -
SiC Paddle នៅក្នុងការផលិត Semiconductor
នៅក្នុងវិស័យនៃការផលិត semiconductor, SiC Paddle ដើរតួនាទីយ៉ាងសំខាន់ ជាពិសេសនៅក្នុងដំណើរការលូតលាស់ epitaxial ។ ជាសមាសធាតុសំខាន់ដែលប្រើក្នុងប្រព័ន្ធ MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) ប្រព័ន្ធ SiC Paddles ត្រូវបានបង្កើតឡើងដើម្បីស៊ូទ្រាំនឹងសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ និង...អានបន្ថែម -
តើ Wafer Paddle ជាអ្វី? | Semicera
Paddle wafer គឺជាធាតុផ្សំដ៏សំខាន់ដែលត្រូវបានប្រើនៅក្នុងឧស្សាហកម្ម semiconductor និង photovoltaic ដើម្បីគ្រប់គ្រង wafers កំឡុងពេលដំណើរការសីតុណ្ហភាពខ្ពស់។ នៅ Semicera យើងមានមោទនភាពចំពោះសមត្ថភាពដ៏ជឿនលឿនរបស់យើងក្នុងការផលិតបន្ទះក្តារ wafer ដែលមានគុណភាពខ្ពស់ដែលបំពេញតាមតម្រូវការយ៉ាងម៉ត់ចត់របស់...អានបន្ថែម -
ដំណើរការ និងឧបករណ៍ semiconductor (7/7)- ដំណើរការ និងបរិក្ខារនៃខ្សែភាពយន្តស្តើង
1. សេចក្តីផ្តើម ដំណើរការនៃការភ្ជាប់សារធាតុ (វត្ថុធាតុដើម) ទៅនឹងផ្ទៃនៃវត្ថុធាតុស្រទាប់ខាងក្រោមដោយវិធីសាស្ត្ររូបវន្ត ឬគីមីត្រូវបានគេហៅថា ការលូតលាស់នៃខ្សែភាពយន្តស្តើង។ យោងទៅតាមគោលការណ៍ការងារផ្សេងៗគ្នា ការដាក់បញ្ចូលខ្សែភាពយន្តស្តើងនៃសៀគ្វីអាចបែងចែកជាៈ - ការបាត់បង់ចំហាយរាងកាយ ( ព...អានបន្ថែម -
ដំណើរការ និងបរិក្ខារ Semiconductor (6/7)- ដំណើរការ និងឧបករណ៍បញ្ចូលអ៊ីយ៉ុង
1. សេចក្តីផ្តើម ការផ្សាំអ៊ីយ៉ុងគឺជាដំណើរការសំខាន់មួយក្នុងការផលិតសៀគ្វីរួមបញ្ចូលគ្នា។ វាសំដៅទៅលើដំណើរការនៃការពន្លឿនធ្នឹមអ៊ីយ៉ុងទៅថាមពលជាក់លាក់មួយ (ជាទូទៅក្នុងជួរនៃ keV ទៅ MeV) ហើយបន្ទាប់មកចាក់វាចូលទៅក្នុងផ្ទៃនៃវត្ថុធាតុរឹងដើម្បីផ្លាស់ប្តូរ prop រាងកាយ...អានបន្ថែម -
ដំណើរការ និងឧបករណ៍ Semiconductor (5/7)- ដំណើរការ និងបរិក្ខារ
សេចក្តីផ្តើមមួយ ការឆ្លាក់នៅក្នុងដំណើរការនៃការផលិតសៀគ្វីរួមបញ្ចូលគ្នាត្រូវបានបែងចែកទៅជា: - etching សើម; - etching ស្ងួត។ នៅសម័យដំបូង ការឆ្លាក់សើមត្រូវបានគេប្រើប្រាស់យ៉ាងទូលំទូលាយ ប៉ុន្តែដោយសារតែដែនកំណត់របស់វាក្នុងការគ្រប់គ្រងទទឹងបន្ទាត់ និងទិសដៅនៃការឆ្លាក់ ដំណើរការភាគច្រើនបន្ទាប់ពី 3μm ប្រើការឆ្លាក់ស្ងួត។ ការឆ្លាក់សើមគឺ...អានបន្ថែម