-
តើ Tantalum Carbide ជាអ្វី?
Tantalum carbide (TaC) គឺជាសមាសធាតុគោលពីរនៃ tantalum និង carbon ជាមួយនឹងរូបមន្តគីមី TaC x ដែលជាធម្មតា x ប្រែប្រួលចន្លោះពី 0.4 និង 1។ ពួកវារឹងខ្លាំង ផុយ និង refractory សេរ៉ាមិច ជាមួយនឹងចរន្តលោហៈ។ ពួកវាជាម្សៅពណ៌ត្នោតប្រផេះ ហើយយើង...អានបន្ថែម -
តើអ្វីទៅជា tantalum carbide
Tantalum carbide (TaC) គឺជាសម្ភារៈសេរ៉ាមិចដែលមានសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ ធន់នឹងសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ ដង់ស៊ីតេខ្ពស់ ការបង្រួមខ្ពស់; ភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់ មាតិកាមិនបរិសុទ្ធ <5PPM; និងភាពអសកម្មគីមីចំពោះអាម៉ូញាក់ និងអ៊ីដ្រូសែននៅសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ និងស្ថេរភាពកម្ដៅល្អ។ អ្វីដែលគេហៅថាខ្ពស់ជ្រុល...អានបន្ថែម -
តើ epitaxy គឺជាអ្វី?
វិស្វករភាគច្រើនមិនស៊ាំជាមួយ epitaxy ដែលដើរតួនាទីយ៉ាងសំខាន់ក្នុងការផលិតឧបករណ៍ semiconductor ។ Epitaxy អាចត្រូវបានប្រើនៅក្នុងផលិតផលបន្ទះឈីបផ្សេងៗគ្នា ហើយផលិតផលផ្សេងៗគ្នាមានប្រភេទផ្សេងៗគ្នានៃ epitaxy រួមមាន Si epitaxy, SiC epitaxy, GaN epitaxy ជាដើម។ តើអ្វីជា epitaxy? Epitaxy គឺ...អានបន្ថែម -
តើប៉ារ៉ាម៉ែត្រសំខាន់ៗរបស់ស៊ីស៊ីមានអ្វីខ្លះ?
Silicon carbide (SiC) គឺជាសម្ភារៈ semiconductor bandgap ដ៏សំខាន់មួយដែលត្រូវបានប្រើប្រាស់យ៉ាងទូលំទូលាយនៅក្នុងឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិកដែលមានថាមពលខ្ពស់ និងប្រេកង់ខ្ពស់។ ខាងក្រោមនេះជាប៉ារ៉ាម៉ែត្រសំខាន់មួយចំនួននៃបន្ទះស៊ីលីកុនកាបត និងការពន្យល់លម្អិតរបស់វា៖ ប៉ារ៉ាម៉ែត្របន្ទះឈើ៖ សូមប្រាកដថា...អានបន្ថែម -
ហេតុអ្វីបានជាស៊ីលីកុនគ្រីស្តាល់តែមួយត្រូវរមៀល?
Rolling សំដៅលើដំណើរការនៃការកិនអង្កត់ផ្ចិតខាងក្រៅនៃដំបងគ្រីស្តាល់តែមួយស៊ីលីកុនចូលទៅក្នុងដំបងគ្រីស្តាល់តែមួយនៃអង្កត់ផ្ចិតដែលត្រូវការ ដោយប្រើកង់កិនពេជ្រ ហើយកិនចេញនូវផ្ទៃយោងគែមរាបស្មើ ឬចង្អូរទីតាំងនៃដំបងគ្រីស្តាល់តែមួយ។ អង្កត់ផ្ចិតខាងក្រៅនៃផ្ទៃ ...អានបន្ថែម -
ដំណើរការសម្រាប់ផលិតម្សៅ SiC គុណភាពខ្ពស់
Silicon carbide (SiC) គឺជាសមាសធាតុអសរីរាង្គដែលត្រូវបានគេស្គាល់ថាសម្រាប់លក្ខណៈសម្បត្តិពិសេសរបស់វា។ SiC ដែលកើតឡើងដោយធម្មជាតិ ដែលគេស្គាល់ថាជា moissanite គឺកម្រណាស់។ នៅក្នុងកម្មវិធីឧស្សាហកម្ម ស៊ីលីកុន carbide ត្រូវបានផលិតជាចម្បងតាមរយៈវិធីសាស្រ្តសំយោគ។ នៅក្រុមហ៊ុន Semicera Semiconductor យើងប្រើប្រាស់បច្ចេកទេសកម្រិតខ្ពស់...អានបន្ថែម -
ការគ្រប់គ្រងភាពធន់នឹងរ៉ាឌីកាល់ កំឡុងពេលទាញគ្រីស្តាល់
មូលហេតុចម្បងដែលប៉ះពាល់ដល់ភាពស្មើគ្នានៃភាពធន់ទ្រាំរ៉ាឌីកាល់នៃគ្រីស្តាល់តែមួយគឺភាពរាបស្មើនៃចំណុចប្រទាក់រឹង-រាវ និងឥទ្ធិពលនៃយន្តហោះតូចកំឡុងពេលការលូតលាស់របស់គ្រីស្តាល់ ឥទ្ធិពលនៃភាពរាបស្មើនៃចំណុចប្រទាក់រាវ-រឹងកំឡុងពេលលូតលាស់គ្រីស្តាល់ ប្រសិនបើការរលាយត្រូវបានកូរឱ្យស្មើគ្នា។ , ការ...អានបន្ថែម -
ហេតុអ្វីបានជាវាលម៉ាញេទិកអាច ចង្រ្កានគ្រីស្តាល់តែមួយ ធ្វើអោយប្រសើរឡើងនូវគុណភាពនៃគ្រីស្តាល់តែមួយ
ដោយសារ Crucible ត្រូវបានគេប្រើជាធុង ហើយមាន convection នៅខាងក្នុង ដោយសារទំហំនៃគ្រីស្តាល់តែមួយដែលបានបង្កើតកើនឡើង កំដៅ convection និង gradient uniformity កាន់តែពិបាកគ្រប់គ្រង។ ដោយការបន្ថែមវាលម៉ាញេទិកដើម្បីធ្វើឱ្យសកម្មភាពរលាយនៅលើកម្លាំង Lorentz នោះ convection អាចជា ...អានបន្ថែម -
ការរីកលូតលាស់យ៉ាងឆាប់រហ័សនៃគ្រីស្តាល់ SiC តែមួយដោយប្រើប្រភព CVD-SiC ភាគច្រើនដោយវិធីសាស្រ្ត sublimation
ការលូតលាស់យ៉ាងឆាប់រហ័សនៃ SiC Single Crystal ដោយប្រើប្រភព CVD-SiC Bulk តាមរយៈវិធីសាស្ត្រ Sublimation ដោយប្រើប្លុក CVD-SiC កែច្នៃជាប្រភព SiC គ្រីស្តាល់ SiC ត្រូវបានដាំដុះដោយជោគជ័យក្នុងអត្រា 1.46 mm/h តាមរយៈវិធីសាស្ត្រ PVT ។ ដង់ស៊ីតេមីក្រូហ្វីល និងការផ្លាស់ទីលំនៅរបស់គ្រីស្តាល់ បង្ហាញថា...អានបន្ថែម -
មាតិកាដែលបានធ្វើឱ្យប្រសើរ និងបកប្រែនៅលើឧបករណ៍ការលូតលាស់របស់ Silicon Carbide Epitaxial
ស្រទាប់ខាងក្រោម Silicon carbide (SiC) មានពិការភាពជាច្រើនដែលរារាំងដំណើរការដោយផ្ទាល់។ ដើម្បីបង្កើតបន្ទះសៀគ្វី ខ្សែភាពយន្តគ្រីស្តាល់តែមួយជាក់លាក់ត្រូវតែត្រូវបានដាំដុះនៅលើស្រទាប់ខាងក្រោម SiC តាមរយៈដំណើរការ epitaxial ។ ខ្សែភាពយន្តនេះត្រូវបានគេស្គាល់ថាជាស្រទាប់ epitaxial ។ ឧបករណ៍ SiC ស្ទើរតែទាំងអស់ត្រូវបានដឹងនៅលើ epitaxial ...អានបន្ថែម -
តួនាទីសំខាន់ និងករណីនៃការអនុវត្តរបស់ SiC-Coated Graphite Susceptors ក្នុងការផលិត Semiconductor
Semicera Semiconductor គ្រោងនឹងបង្កើនការផលិតសមាសធាតុស្នូលសម្រាប់ឧបករណ៍ផលិត semiconductor នៅទូទាំងពិភពលោក។ នៅឆ្នាំ 2027 យើងមានបំណងបង្កើតរោងចក្រថ្មីទំហំ 20,000 ម៉ែត្រការ៉េ ជាមួយនឹងទុនវិនិយោគសរុប 70 លានដុល្លារ។ សមាសធាតុស្នូលមួយរបស់យើងគឺ ស៊ីលីកុន កាបៃ (SiC) wafer carr...អានបន្ថែម -
ហេតុអ្វីបានជាយើងត្រូវធ្វើ epitaxy នៅលើស្រទាប់ខាងក្រោម wafer ស៊ីលីកុន?
នៅក្នុងសង្វាក់ឧស្សាហកម្ម semiconductor ជាពិសេសនៅក្នុងសង្វាក់ឧស្សាហកម្ម semiconductor ជំនាន់ទីបី (wide bandgap semiconductor) មានស្រទាប់ខាងក្រោម និងស្រទាប់ epitaxial ។ តើអ្វីទៅជាសារៈសំខាន់នៃស្រទាប់ epitaxial? តើអ្វីជាភាពខុសគ្នារវាងស្រទាប់ខាងក្រោម និងស្រទាប់ខាងក្រោម? ស្រទាប់ខាងក្រោម...អានបន្ថែម