ស៊ីលីកុនកាប៊ីត Epitaxy

ការពិពណ៌នាសង្ខេប៖

ស៊ីលីកុនកាប៊ីត Epitaxy- ស្រទាប់អេពីតាស៊ីលដែលមានគុណភាពខ្ពស់ត្រូវបានកែសម្រួលសម្រាប់កម្មវិធី semiconductor កម្រិតខ្ពស់ ដែលផ្តល់នូវដំណើរការល្អ និងភាពជឿជាក់សម្រាប់ថាមពលអេឡិចត្រូនិច និងឧបករណ៍អុបតូអេឡិចត្រូនិច។


ព័ត៌មានលម្អិតអំពីផលិតផល

ស្លាកផលិតផល

របស់ Semiceraស៊ីលីកុនកាប៊ីត Epitaxyត្រូវ​បាន​បង្កើត​ឡើង​ដើម្បី​បំពេញ​តាម​តម្រូវ​ការ​យ៉ាង​ម៉ត់ចត់​នៃ​កម្មវិធី semiconductor ទំនើប។ តាមរយៈការប្រើប្រាស់បច្ចេកទេសការលូតលាស់នៃ epitaxial កម្រិតខ្ពស់ យើងធានាថាស្រទាប់ស៊ីលីកុន carbide នីមួយៗបង្ហាញនូវគុណភាពគ្រីស្តាល់ពិសេស ឯកសណ្ឋាន និងដង់ស៊ីតេពិការភាពតិចតួចបំផុត។ លក្ខណៈទាំងនេះមានសារៈសំខាន់ណាស់សម្រាប់ការអភិវឌ្ឍឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិកដែលមានថាមពលខ្ពស់ ដែលប្រសិទ្ធភាព និងការគ្រប់គ្រងកម្ដៅមានសារៈសំខាន់បំផុត។

នេះ។ស៊ីលីកុនកាប៊ីត Epitaxyដំណើរការនៅ Semicera ត្រូវបានធ្វើឱ្យប្រសើរឡើងដើម្បីផលិតស្រទាប់ epitaxial ជាមួយនឹងកម្រាស់ច្បាស់លាស់ និងការគ្រប់គ្រងសារធាតុ doping ដែលធានានូវដំណើរការស្របគ្នានៅទូទាំងឧបករណ៍ជាច្រើន។ កម្រិតនៃភាពជាក់លាក់នេះគឺចាំបាច់សម្រាប់កម្មវិធីនៅក្នុងរថយន្តអគ្គិសនី ប្រព័ន្ធថាមពលកកើតឡើងវិញ និងការទំនាក់ទំនងដែលមានប្រេកង់ខ្ពស់ ដែលភាពជឿជាក់ និងប្រសិទ្ធភាពមានសារៈសំខាន់។

លើសពីនេះទៅទៀត Semicera'sស៊ីលីកុនកាប៊ីត Epitaxyផ្តល់នូវភាពប្រសើរឡើងនៃចរន្តកំដៅ និងវ៉ុលបំបែកខ្ពស់ ដែលធ្វើឱ្យវាក្លាយជាជម្រើសដែលពេញចិត្តសម្រាប់ឧបករណ៍ដែលដំណើរការក្រោមលក្ខខណ្ឌធ្ងន់ធ្ងរ។ លក្ខណៈសម្បត្តិទាំងនេះរួមចំណែកដល់អាយុកាលរបស់ឧបករណ៍កាន់តែយូរ និងធ្វើឱ្យប្រសើរឡើងនូវប្រសិទ្ធភាពនៃប្រព័ន្ធទាំងមូល ជាពិសេសនៅក្នុងបរិយាកាសដែលមានថាមពលខ្ពស់ និងសីតុណ្ហភាពខ្ពស់។

Semicera ក៏ផ្តល់នូវជម្រើសប្ដូរតាមបំណងសម្រាប់ស៊ីលីកុនកាប៊ីត Epitaxyអនុញ្ញាតឱ្យមានដំណោះស្រាយដែលតម្រូវតាមតម្រូវការឧបករណ៍ជាក់លាក់។ មិនថាសម្រាប់ការស្រាវជ្រាវ ឬការផលិតទ្រង់ទ្រាយធំនោះទេ ស្រទាប់អេពីតាស៊ីលរបស់យើងត្រូវបានរចនាឡើងដើម្បីគាំទ្រដល់ការបង្កើតថ្មីនៃសារធាតុ semiconductor ជំនាន់ក្រោយ ដែលអនុញ្ញាតឱ្យមានការអភិវឌ្ឍន៍ឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិចដ៏មានឥទ្ធិពល ប្រសិទ្ធភាព និងអាចទុកចិត្តបាន។

តាមរយៈការរួមបញ្ចូលបច្ចេកវិទ្យាទំនើប និងដំណើរការត្រួតពិនិត្យគុណភាពដ៏តឹងរ៉ឹង Semicera ធានាថារបស់យើង។ស៊ីលីកុនកាប៊ីត Epitaxyផលិតផលមិនត្រឹមតែបំពេញបានទេប៉ុន្តែលើសពីស្តង់ដារឧស្សាហកម្ម។ ការប្តេជ្ញាចិត្តចំពោះភាពល្អឥតខ្ចោះនេះធ្វើឱ្យស្រទាប់ epitaxial របស់យើងក្លាយជាមូលដ្ឋានគ្រឹះដ៏ល្អសម្រាប់កម្មវិធី semiconductor កម្រិតខ្ពស់ ដោយត្រួសត្រាយផ្លូវសម្រាប់របកគំហើញនៅក្នុងថាមពលអេឡិចត្រូនិច និង optoelectronics ។

ធាតុ

ផលិតកម្ម

ស្រាវជ្រាវ

អត់ចេះសោះ

ប៉ារ៉ាម៉ែត្រគ្រីស្តាល់

ពហុប្រភេទ

4H

កំហុស​ទិស​ផ្ទៃ

<11-20>4±0.15°

ប៉ារ៉ាម៉ែត្រអគ្គិសនី

សារធាតុពុល

n-ប្រភេទអាសូត

ភាពធន់

0.015-0.025ohm ·cm

ប៉ារ៉ាម៉ែត្រមេកានិក

អង្កត់ផ្ចិត

150.0 ± 0.2 ម។

កម្រាស់

350 ± 25 μm

ការតំរង់ទិសផ្ទះល្វែងបឋម

[1-100]±5°

ប្រវែងផ្ទះល្វែងបឋម

47.5 ± 1.5 ម។

ផ្ទះល្វែងបន្ទាប់បន្សំ

គ្មាន

ធីធីវី

≤5μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5mm * 5mm)

≤5 μm (5mm * 5mm)

≤10 μm (5mm * 5mm)

ធ្នូ

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Warp

≤35μm

≤45μm

≤55μm

ផ្នែកខាងមុខ (Si-face) គ្រើម (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm * 5μm)

រចនាសម្ព័ន្ធ

ដង់ស៊ីតេមីក្រូ

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

ភាពមិនបរិសុទ្ធនៃលោហៈ

≤5E10អាតូម/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

គុណភាពផ្នែកខាងមុខ

ខាងមុខ

Si

ការបញ្ចប់ផ្ទៃ

Si-face CMP

ភាគល្អិត

≤60ea/wafer (ទំហំ≥0.3μm)

NA

កោស

≤5ea/mm ប្រវែងរួម ≤ អង្កត់ផ្ចិត

ប្រវែងសរុប≤2*អង្កត់ផ្ចិត

NA

សំបកក្រូច / រណ្តៅ / ស្នាមប្រឡាក់ / ស្នាមប្រេះ / ស្នាមប្រេះ / ការចម្លងរោគ

គ្មាន

NA

បន្ទះសៀគ្វីគែម / ចូលបន្ទាត់ / បាក់ឆ្អឹង / ចានឆកោន

គ្មាន

តំបន់ពហុប្រភេទ

គ្មាន

តំបន់បង្គរ≤20%

តំបន់បង្គរ≤30%

ការសម្គាល់ឡាស៊ែរខាងមុខ

គ្មាន

គុណភាពខាងក្រោយ

ការបញ្ចប់ខាងក្រោយ

C-មុខ CMP

កោស

≤5ea/mm, ប្រវែងបង្គុំ≤2*អង្កត់ផ្ចិត

NA

ពិការភាពផ្នែកខាងក្រោយ (បន្ទះសៀគ្វី/ការចូលបន្ទាត់)

គ្មាន

ភាពរដុបនៃខ្នង

Ra≤0.2nm (5μm * 5μm)

ការសម្គាល់ឡាស៊ែរខាងក្រោយ

1 មម (ពីគែមខាងលើ)

គែម

គែម

Chamfer

ការវេចខ្ចប់

ការវេចខ្ចប់

Epi-រួចរាល់ជាមួយនឹងការវេចខ្ចប់សុញ្ញកាស

ការវេចខ្ចប់កាសែតច្រើនប្រភេទ

*ចំណាំ៖ "NA" មានន័យថាគ្មានសំណើ ធាតុដែលមិនបានរៀបរាប់អាចសំដៅលើ SEMI-STD ។

បច្ចេកវិទ្យា_1_2_ទំហំ
SiC wafers

  • មុន៖
  • បន្ទាប់៖