ទិដ្ឋភាពទូទៅនៃផលិតផល
នេះ។Silicon-Impregnated Silicon Carbide (SiC) Paddle និង Wafer Carbideត្រូវបានបង្កើតឡើងដើម្បីបំពេញតាមតម្រូវការតម្រូវការនៃកម្មវិធីដំណើរការកម្ដៅ semiconductor ។ ផលិតចេញពី SiC ភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់ និងត្រូវបានពង្រឹងតាមរយៈការ impregnation ស៊ីលីកុន ផលិតផលនេះផ្តល់នូវការរួមបញ្ចូលគ្នាតែមួយគត់នៃដំណើរការសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ ចរន្តកំដៅដ៏ល្អឥតខ្ចោះ ធន់នឹងការ corrosion និងកម្លាំងមេកានិចដ៏អស្ចារ្យ។
ដោយការរួមបញ្ចូលវិទ្យាសាស្ត្រសម្ភារៈកម្រិតខ្ពស់ជាមួយនឹងការផលិតភាពជាក់លាក់ ដំណោះស្រាយនេះធានានូវដំណើរការល្អ ភាពជឿជាក់ និងភាពធន់សម្រាប់ក្រុមហ៊ុនផលិតឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិក។
លក្ខណៈសំខាន់ៗ
១.ភាពធន់នឹងសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ពិសេស
ជាមួយនឹងចំណុចរលាយលើសពី 2700 អង្សាសេ សារធាតុ SiC មានស្ថេរភាពក្រោមកំដៅខ្លាំង។ impregnation ស៊ីលីកុន បង្កើនស្ថេរភាពកម្ដៅរបស់ពួកគេ អនុញ្ញាតឱ្យពួកគេទប់ទល់នឹងការប៉ះពាល់រយៈពេលយូរទៅនឹងសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ដោយមិនមានការចុះខ្សោយនៃរចនាសម្ព័ន្ធ ឬការថយចុះនៃដំណើរការ។
២.អនុភាពកំដៅ
ចរន្តកំដៅពិសេសនៃស៊ីលីកុន- impregnated SiC ធានានូវការចែកចាយកំដៅឯកសណ្ឋាន កាត់បន្ថយភាពតានតឹងកម្ដៅក្នុងដំណាក់កាលដំណើរការសំខាន់។ ទ្រព្យសម្បត្តិនេះពន្យារអាយុជីវិតរបស់ឧបករណ៍ និងកាត់បន្ថយពេលវេលារងចាំផលិតកម្ម ដែលធ្វើឱ្យវាល្អសម្រាប់ដំណើរការកំដៅដែលមានសីតុណ្ហភាពខ្ពស់។
៣.ភាពធន់នឹងអុកស៊ីតកម្ម និងច្រេះ
ស្រទាប់ស៊ីលីកុនអុកស៊ីដដ៏រឹងមាំបង្កើតបានតាមធម្មជាតិលើផ្ទៃដែលផ្តល់នូវភាពធន់នឹងអុកស៊ីតកម្ម និងការច្រេះ។ នេះធានានូវភាពជឿជាក់រយៈពេលវែងនៅក្នុងបរិយាកាសប្រតិបត្តិការដ៏អាក្រក់ ការពារទាំងសម្ភារៈ និងសមាសធាតុជុំវិញ។
៤.កម្លាំងមេកានិចខ្ពស់ និងធន់នឹងការពាក់
Silicon-impregnated SiC មានលក្ខណៈពិសេសកម្លាំងបង្ហាប់ដ៏ល្អឥតខ្ចោះ និងធន់នឹងការពាក់ ដោយរក្សាបាននូវភាពសុចរិតនៃរចនាសម្ព័ន្ធរបស់វានៅក្រោមលក្ខខណ្ឌផ្ទុកខ្ពស់ និងសីតុណ្ហភាពខ្ពស់។ នេះកាត់បន្ថយហានិភ័យនៃការខូចខាតដែលទាក់ទងនឹងការពាក់ ដោយធានាបាននូវដំណើរការជាប់លាប់ក្នុងវដ្តនៃការប្រើប្រាស់ដែលបានពង្រីក។
លក្ខណៈបច្ចេកទេស
| ឈ្មោះផលិតផល | SC-RSiC-Si |
| សម្ភារៈ | Silicon Impregnation Silicon Carbide Compact (ភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់) |
| កម្មវិធី | ផ្នែកព្យាបាលកំដៅ Semiconductor គ្រឿងបន្លាស់ឧបករណ៍ផលិត Semiconductor |
| ទម្រង់ចែកចាយ | រូបរាងដែលមានរាងជារូបរាង (Sintered body) |
| សមាសភាព | ទ្រព្យសម្បត្តិមេកានិច | ម៉ូឌុលរបស់ Young (GPa) | កម្លាំងពត់កោង (MPa) | ||
| សមាសភាព (វ៉ុល%) | α-SiC | α-SiC | RT | ៣៧០ | ២៥០ |
| 82 | 18 | ៨០០ អង្សាសេ | ៣៦០ | ២២០ | |
| ដង់ស៊ីតេភាគច្រើន (គីឡូក្រាម / មការ៉េ) | ៣.០២ x ១០3 | 1200°C | ៣៤០ | ២២០ | |
| សីតុណ្ហភាពការពារកំដៅ°C | ១៣៥០ | សមាមាត្រ Poisson | 0.18(RT) | ||
| ទ្រព្យសម្បត្តិកំដៅ | ចរន្តកំដៅ (W/(m·K)) | សមត្ថភាពកំដៅជាក់លាក់ (kJ/(kg·K)) | មេគុណនៃការពង្រីកកំដៅ (1/K) | ||
| RT | ២២០ | ០.៧ | RT ~ 700 ° C | 3.4 x 10-6 | |
| ៧០០ អង្សាសេ | 60 | ១.២៣ | 700 ~ 1200 ° C | ៤.៣ x១០-6 | |
| មាតិកាមិនបរិសុទ្ធ ((ppm) | |||||||||||||
| ធាតុ | Fe | Ni | Na | K | Mg | Ca | Cr | Mn | Zn | Cu | Ti | Va | Ai |
| អត្រាមាតិកា | 3 | <២ | <0.5 | <0.1 | <1 | 5 | ០.៣ | <0.1 | <0.1 | <0.1 | <0.3 | <0.3 | 25 |
កម្មវិធី
▪ដំណើរការកំដៅ Semiconductor៖ល្អបំផុតសម្រាប់ដំណើរការដូចជា ការបញ្ចេញចំហាយគីមី (CVD) ការរីកលូតលាស់នៃ epitaxial និង annealing ដែលការគ្រប់គ្រងសីតុណ្ហភាពច្បាស់លាស់ និងភាពធន់នៃសម្ភារៈមានសារៈសំខាន់ណាស់។
▪អ្នកដឹកជញ្ជូន វ៉ាហ្វឺរ និងប៉ាវ៖រចនាឡើងដើម្បីរក្សាសុវត្ថិភាព និងដឹកជញ្ជូន wafers កំឡុងពេលព្យាបាលកំដៅដោយសីតុណ្ហភាពខ្ពស់។
▪បរិយាកាសប្រតិបត្តិការខ្លាំង៖ ស័ក្តិសមសម្រាប់ការកំណត់ដែលទាមទារភាពធន់នឹងកំដៅ ការប៉ះពាល់នឹងសារធាតុគីមី និងភាពតានតឹងមេកានិច។
គុណសម្បត្តិនៃ Silicon-Impregnated SiC
ការរួមបញ្ចូលគ្នានៃស៊ីលីកុន carbide ភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់ និងបច្ចេកវិទ្យា impregnation ស៊ីលីកុនកម្រិតខ្ពស់ ផ្តល់នូវអត្ថប្រយោជន៍នៃដំណើរការដែលមិនអាចប្រៀបផ្ទឹមបាន៖
▪ភាពជាក់លាក់៖បង្កើនភាពត្រឹមត្រូវ និងការគ្រប់គ្រងនៃដំណើរការ semiconductor ។
▪ស្ថេរភាព៖ទប់ទល់នឹងបរិស្ថានអាក្រក់ដោយមិនប៉ះពាល់ដល់មុខងារ។
▪អាយុវែង៖ពង្រីកអាយុសេវាកម្មនៃឧបករណ៍ផលិត semiconductor ។
▪ប្រសិទ្ធភាព៖បង្កើនផលិតភាពដោយធានានូវលទ្ធផលដែលអាចទុកចិត្តបាន និងជាប់លាប់។
ហេតុអ្វីបានជាជ្រើសរើសដំណោះស្រាយ SiC Impregnated Silicon របស់យើង?
At Semiceraយើងមានជំនាញក្នុងការផ្តល់នូវដំណោះស្រាយដែលមានប្រសិទ្ធភាពខ្ពស់ ស្របតាមតម្រូវការរបស់អ្នកផលិត semiconductor ។ Silicon-Impregnated Silicon Carbide Paddle និង Wafer Carrier របស់យើងឆ្លងកាត់ការធ្វើតេស្តយ៉ាងម៉ត់ចត់ និងការធានាគុណភាពដើម្បីបំពេញតាមស្តង់ដារឧស្សាហកម្ម។ តាមរយៈការជ្រើសរើស Semicera អ្នកនឹងទទួលបាននូវសម្ភារៈទំនើបៗដែលត្រូវបានរចនាឡើងដើម្បីបង្កើនប្រសិទ្ធភាពដំណើរការផលិតរបស់អ្នក និងបង្កើនសមត្ថភាពផលិតកម្មរបស់អ្នក។
លក្ខណៈបច្ចេកទេស
▪សមាសភាពសម្ភារៈ៖ស៊ីលីកុន carbide ភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់ជាមួយនឹងការ impregnation ស៊ីលីកុន។
▪ជួរសីតុណ្ហភាពប្រតិបត្តិការ៖រហូតដល់ 2700 អង្សាសេ។
▪ ចរន្តកំដៅ៖ខ្ពស់ពិសេសសម្រាប់ការចែកចាយកំដៅឯកសណ្ឋាន។
▪លក្ខណៈសម្បត្តិធន់ទ្រាំ៖អុកស៊ីតកម្ម ការ corrosion និងធន់នឹងការពាក់។
▪កម្មវិធី៖ឆបគ្នាជាមួយប្រព័ន្ធដំណើរការកំដៅ semiconductor ផ្សេងៗ។
ទាក់ទងមកយើងខ្ញុំ
ត្រៀមខ្លួនដើម្បីលើកកំពស់ដំណើរការផលិត semiconductor របស់អ្នកហើយឬនៅ? ទំនាក់ទំនងSemiceraថ្ងៃនេះដើម្បីស្វែងយល់បន្ថែមអំពី Silicon-Impregnated Silicon Carbide Paddle និង Wafer Carrier របស់យើង។
▪អ៊ីមែល៖ sales01@semi-cera.com/sales05@semi-cera.com
▪ទូរស័ព្ទ៖ +86-0574-8650 3783
▪ទីតាំង៖No.1958 Jiangnan Road, Ningbo High tech, Zone, Zhejiang, 315201, China
