Semicera ផ្តល់នូវថ្នាំកូតពិសេស tantalum carbide (TaC) សម្រាប់សមាសធាតុ និងក្រុមហ៊ុនដឹកជញ្ជូនផ្សេងៗ។ដំណើរការថ្នាំកូតឈានមុខគេ Semicera អនុញ្ញាតឱ្យថ្នាំកូត tantalum carbide (TaC) សម្រេចបាននូវភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់ ស្ថេរភាពសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ និងការអត់ធ្មត់គីមីខ្ពស់ ការកែលម្អគុណភាពផលិតផលនៃគ្រីស្តាល់ SIC/GAN និងស្រទាប់ EPI (ឧបករណ៍ចាប់សញ្ញា TaC ស្រោបក្រាហ្វិច) និងពន្យារអាយុជីវិតនៃសមាសធាតុរ៉េអាក់ទ័រសំខាន់ៗ។ ការប្រើប្រាស់ថ្នាំកូត tantalum carbide TaC គឺដើម្បីដោះស្រាយបញ្ហាគែម និងកែលម្អគុណភាពនៃការលូតលាស់របស់គ្រីស្តាល់ ហើយ Semicera បានទម្លាយនូវដំណោះស្រាយបច្ចេកវិទ្យាថ្នាំកូត tantalum carbide (CVD) ឈានដល់កម្រិតកម្រិតខ្ពស់អន្តរជាតិ។
ជាមួយនឹងការមកដល់នៃ wafers 8-inch silicon carbide (SiC) តម្រូវការសម្រាប់ដំណើរការ semiconductor ផ្សេងៗកាន់តែតឹងរ៉ឹង ជាពិសេសសម្រាប់ដំណើរការ epitaxy ដែលសីតុណ្ហភាពអាចលើសពី 2000 អង្សាសេ។ វត្ថុធាតុរងបែបប្រពៃណី ដូចជាក្រាហ្វិចដែលស្រោបដោយស៊ីលីកុនកាបោន មានទំនោរទៅ sublimate នៅសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ទាំងនេះ ដែលរំខានដល់ដំណើរការ epitaxy ។ ទោះជាយ៉ាងណាក៏ដោយ CVD tantalum carbide (TaC) មានប្រសិទ្ធភាពដោះស្រាយបញ្ហានេះ ដោយអាចទប់ទល់នឹងសីតុណ្ហភាពរហូតដល់ 2300 អង្សាសេ និងផ្តល់អាយុកាលសេវាកម្មបានយូរជាង។ ទំនាក់ទំនង Semicera's Tantalum Carbide TaC CVD Coating គ្រឿងបន្លាស់ផ្ទាល់ខ្លួនដើម្បីស្វែងយល់បន្ថែមអំពីដំណោះស្រាយកម្រិតខ្ពស់របស់យើង។
បន្ទាប់ពីការអភិវឌ្ឍន៍ជាច្រើនឆ្នាំ Semicera បានសញ្ជ័យបច្ចេកវិទ្យានៃCVD TaCជាមួយនឹងកិច្ចខិតខំប្រឹងប្រែងរួមគ្នារបស់នាយកដ្ឋានស្រាវជ្រាវ និងអភិវឌ្ឍន៍។ ពិការភាពគឺមានភាពងាយស្រួលក្នុងការកើតឡើងនៅក្នុងដំណើរការនៃការរីកលូតលាស់នៃ SiC wafers ប៉ុន្តែបន្ទាប់ពីការប្រើប្រាស់តាស៊ី, ភាពខុសគ្នាគឺសំខាន់។ ខាងក្រោមនេះគឺជាការប្រៀបធៀបនៃ wafers ដែលមាន និងគ្មាន TaC ក៏ដូចជាផ្នែក Simicera សម្រាប់ការលូតលាស់គ្រីស្តាល់តែមួយ។
ដោយមាន និងគ្មាន TAC
បន្ទាប់ពីប្រើ TaC (ស្តាំ)
លើសពីនេះទៅទៀត Semicera'sផលិតផលដែលស្រោបដោយ TaCបង្ហាញអាយុកាលសេវាកម្មបានយូរជាង និងធន់ទ្រាំនឹងសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ជាងបើប្រៀបធៀបទៅនឹងថ្នាំកូត SiC.ការវាស់វែងមន្ទីរពិសោធន៍បានបង្ហាញថារបស់យើង។ថ្នាំកូត TaCអាចអនុវត្តបានជាប់លាប់នៅសីតុណ្ហភាពរហូតដល់ 2300 អង្សាសេសម្រាប់រយៈពេលបន្ត។ ខាងក្រោមនេះជាឧទាហរណ៍មួយចំនួននៃគំរូរបស់យើង៖
