Semicera ផ្តល់នូវថ្នាំកូតពិសេស tantalum carbide (TaC) សម្រាប់សមាសធាតុ និងក្រុមហ៊ុនដឹកជញ្ជូនផ្សេងៗ។ដំណើរការថ្នាំកូតឈានមុខគេ Semicera អនុញ្ញាតឱ្យថ្នាំកូត tantalum carbide (TaC) សម្រេចបាននូវភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់ ស្ថេរភាពសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ និងការអត់ធ្មត់គីមីខ្ពស់ ការកែលម្អគុណភាពផលិតផលនៃគ្រីស្តាល់ SIC/GAN និងស្រទាប់ EPI (ឧបករណ៍ចាប់សញ្ញា TaC ស្រោបក្រាហ្វិច) និងពន្យារអាយុជីវិតនៃសមាសធាតុរ៉េអាក់ទ័រសំខាន់ៗ។ការប្រើប្រាស់ថ្នាំកូត tantalum carbide TaC គឺដើម្បីដោះស្រាយបញ្ហាគែម និងកែលម្អគុណភាពនៃការលូតលាស់របស់គ្រីស្តាល់ ហើយ Semicera បានទម្លាយនូវដំណោះស្រាយបច្ចេកវិទ្យាថ្នាំកូត tantalum carbide (CVD) ឈានដល់កម្រិតកម្រិតខ្ពស់អន្តរជាតិ។
ជាមួយនឹងការមកដល់នៃ wafers 8-inch silicon carbide (SiC) តម្រូវការសម្រាប់ដំណើរការ semiconductor ផ្សេងៗកាន់តែតឹងរ៉ឹង ជាពិសេសសម្រាប់ដំណើរការ epitaxy ដែលសីតុណ្ហភាពអាចលើសពី 2000 អង្សាសេ។វត្ថុធាតុរងបែបប្រពៃណី ដូចជាក្រាហ្វិចដែលស្រោបដោយស៊ីលីកុនកាបោន មានទំនោរទៅ sublimate នៅសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ទាំងនេះ ដែលរំខានដល់ដំណើរការ epitaxy ។ទោះជាយ៉ាងណាក៏ដោយ CVD tantalum carbide (TaC) មានប្រសិទ្ធភាពដោះស្រាយបញ្ហានេះ ដោយអាចទប់ទល់នឹងសីតុណ្ហភាពរហូតដល់ 2300 អង្សាសេ និងផ្តល់អាយុកាលសេវាកម្មបានយូរជាង។ទំនាក់ទំនង Semicera's Tantalum Carbide TaC CVD Coating Wafer Susceptorដើម្បីស្វែងយល់បន្ថែមអំពីដំណោះស្រាយកម្រិតខ្ពស់របស់យើង។
បន្ទាប់ពីការអភិវឌ្ឍន៍ជាច្រើនឆ្នាំ Semicera បានសញ្ជ័យបច្ចេកវិទ្យានៃCVD TaCជាមួយនឹងកិច្ចខិតខំប្រឹងប្រែងរួមគ្នារបស់នាយកដ្ឋានស្រាវជ្រាវ និងអភិវឌ្ឍន៍។ពិការភាពគឺមានភាពងាយស្រួលក្នុងការកើតឡើងនៅក្នុងដំណើរការនៃការរីកលូតលាស់នៃ SiC wafers ប៉ុន្តែបន្ទាប់ពីការប្រើប្រាស់តាស៊ី, ភាពខុសគ្នាគឺសំខាន់។ខាងក្រោមនេះគឺជាការប្រៀបធៀបនៃ wafers ដែលមាន និងគ្មាន TaC ក៏ដូចជាផ្នែក Simicera សម្រាប់ការលូតលាស់គ្រីស្តាល់តែមួយ។
ដោយមាន និងគ្មាន TAC
បន្ទាប់ពីប្រើ TaC (ស្តាំ)
លើសពីនេះទៅទៀត Semicera'sផលិតផលដែលស្រោបដោយ TaCបង្ហាញអាយុកាលសេវាកម្មយូរជាង និងធន់ទ្រាំនឹងសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ជាងបើប្រៀបធៀបទៅនឹងថ្នាំកូត SiC.ការវាស់វែងមន្ទីរពិសោធន៍បានបង្ហាញថារបស់យើង។ថ្នាំកូត TaCអាចអនុវត្តបានជាប់លាប់នៅសីតុណ្ហភាពរហូតដល់ 2300 អង្សាសេសម្រាប់រយៈពេលបន្ត។ខាងក្រោមនេះជាឧទាហរណ៍មួយចំនួននៃគំរូរបស់យើង៖
