ទូក Wafer

ការពិពណ៌នាសង្ខេប៖

ទូក wafer គឺជាសមាសធាតុសំខាន់នៅក្នុងដំណើរការផលិត semiconductor ។ Semiera អាចផ្តល់ទូក wafer ដែលត្រូវបានរចនាឡើងជាពិសេស និងផលិតសម្រាប់ដំណើរការសាយភាយ ដែលដើរតួយ៉ាងសំខាន់ក្នុងការផលិតសៀគ្វីរួមបញ្ចូលគ្នាខ្ពស់។ យើងប្តេជ្ញាយ៉ាងមុតមាំក្នុងការផ្តល់នូវផលិតផលគុណភាពខ្ពស់បំផុតក្នុងតម្លៃប្រកួតប្រជែង ហើយទន្ទឹងរង់ចាំក្លាយជាដៃគូរយៈពេលវែងរបស់អ្នកនៅក្នុងប្រទេសចិន។

ផ្ញើអ៊ីមែលមកយើង

ព័ត៌មានលម្អិតអំពីផលិតផល

ស្លាកផលិតផល

គុណសម្បត្តិ

ធន់នឹងអុកស៊ីតកម្មសីតុណ្ហភាពខ្ពស់។
ភាពធន់នឹងការ corrosion ល្អឥតខ្ចោះ
ធន់នឹងសំណឹកល្អ។
មេគុណខ្ពស់នៃចរន្តកំដៅ
ជាតិរំអិលដោយខ្លួនឯង ដង់ស៊ីតេទាប
ភាពរឹងខ្ពស់។
ការរចនាតាមបំណង។

កម្មវិធី

- វាលដែលធន់នឹងការពាក់៖ ប៊ូស ចាន ក្បាលបូមខ្សាច់ ស្រទាប់ស៊ីក្លូន ធុងកិន ល...
វាលសីតុណ្ហភាពខ្ពស់៖ siC Slab, បំពង់ពន្លត់អគ្គីភ័យ, បំពង់វិទ្យុសកម្ម, ឈើឆ្កាង, ធាតុកំដៅ, រំកិល, ធ្នឹម, ឧបករណ៍ផ្លាស់ប្តូរកំដៅ, បំពង់ខ្យល់ត្រជាក់, ក្បាលម៉ាស៊ីន, បំពង់ការពារកម្តៅ, ទូក SiC, រចនាសម្ព័ន្ធរថយន្ត ឡដុត ជាដើម។
-Silicon Carbide Semiconductor: SiC wafer boat, sic chuck, sic paddle, sic cassette, sic diffusion tube, wafer fork, suction plate, guideway, etc.
-Silicon Carbide Seal Field: សង្វៀនផ្សាភ្ជាប់គ្រប់ប្រភេទ ទ្រនាប់ ប៊ូស ជាដើម។
-Photovoltaic Field: Cantilever Paddle, Grind Barrel, Silicon Carbide Roller ជាដើម។
- វាលថ្មលីចូម

WAFER (1)

WAFER (2)

លក្ខណៈសម្បត្តិរូបវន្តរបស់ SiC

ទ្រព្យសម្បត្តិ	តម្លៃ	វិធីសាស្រ្ត
ដង់ស៊ីតេ	3.21 ក្រាម / CC	លិច - អណ្តែតនិងវិមាត្រ
កំដៅជាក់លាក់	0.66 J/g °K	ពន្លឺឡាស៊ែរដែលមានជីពចរ
កម្លាំងបត់បែន	450 MPa 560 MPa	ពត់ 4 ចំណុច, ពត់ចំណុច RT4, 1300 °
ភាពរឹងនៃការបាក់ឆ្អឹង	2.94 MPa m1/2	ការចូលបន្ទាត់តូច
រឹង	2800	Vicker's, ផ្ទុក 500 ក្រាម។
ម៉ូឌុល Elastic ModulusYoung	450 GPa 430 GPa	4 pt ពត់, RT4 pt ពត់, 1300 ° C
ទំហំគ្រាប់ធញ្ញជាតិ	2-10 μm	SEM

លក្ខណៈសម្បត្តិកំដៅនៃស៊ីស៊ី

ចរន្តកំដៅ	250 W / m ° K	វិធីសាស្រ្តពន្លឺឡាស៊ែរ, RT
ការពង្រីកកំដៅ (CTE)	4.5 x 10-6 °K	សីតុណ្ហភាពបន្ទប់ដល់ 950 °C, dilatometer ស៊ីលីកា

ប៉ារ៉ាម៉ែត្របច្ចេកទេស

ធាតុ	ឯកតា	ទិន្នន័យ
ធាតុ	ឯកតា	RBSiC(SiSiC)	NBSiC	អេសស៊ីស៊ី	RSiC	OSiC
មាតិកាស៊ីស៊ី	%	85	75	99	99.9	≥99
មាតិកាស៊ីលីកុនឥតគិតថ្លៃ	%	15	0	0	0	0
សីតុណ្ហភាពសេវាកម្មអតិបរមា	℃	១៣៨០	១៤៥០	១៦៥០	១៦២០	១៤០០
ដង់ស៊ីតេ	ក្រាម / សង់ទីម៉ែត្រ³	៣.០២	2.75-2.85	៣.០៨-៣.១៦	2.65-2.75	2.75-2.85
បើក porosity	%	0	១៣-១៥	0	១៥-១៨	៧-៨
កម្លាំងពត់ 20 ℃	មប៉ា	២៥០	១៦០	៣៨០	១០០	/
កម្លាំងពត់ 1200 ℃	មប៉ា	២៨០	១៨០	៤០០	១២០	/
ម៉ូឌុលនៃការបត់បែន 20 ℃	ជីប៉ា	៣៣០	៥៨០	៤២០	២៤០	/
ម៉ូឌុលនៃការបត់បែន 1200 ℃	ជីប៉ា	៣០០	/	/	២០០	/
ចរន្តកំដៅ 1200 ℃	W/mK	45	១៩.៦	100-120	៣៦.៦	/
មេគុណនៃការពង្រីកកំដៅ	K^-1X10^-6	៤.៥	៤.៧	៤.១	៤.៦៩	/
HV	គីឡូក្រាម/ម^m2	២១១៥	/	2800	/	/

ថ្នាំកូតស៊ីលីកុនកាបូន CVD នៅលើផ្ទៃខាងក្រៅនៃផលិតផលសេរ៉ាមិចស៊ីលីកុនកាបូនដែលបានកែច្នៃឡើងវិញអាចឈានដល់ភាពបរិសុទ្ធជាង 99.9999% ដើម្បីបំពេញតម្រូវការរបស់អតិថិជននៅក្នុងឧស្សាហកម្មគ្រឿងអេឡិចត្រូនិក។