នាពេលបច្ចុប្បន្ននេះ វិធីសាស្រ្តនៃការរៀបចំថ្នាំកូត SiC ភាគច្រើនរួមមាន វិធីសាស្ត្រជែលសូល វិធីសាស្ត្របង្កប់ វិធីសាស្ត្រថ្នាំកូតជក់ វិធីសាស្ត្របាញ់ថ្នាំប្លាស្មា វិធីសាស្ត្រប្រតិកម្មឧស្ម័នគីមី (CVR) និងវិធីសាស្ត្រទម្លាក់ចំហាយគីមី (CVD)។
វិធីសាស្រ្តបង្កប់៖
វិធីសាស្រ្តគឺជាប្រភេទនៃការដុតដំណាក់កាលរឹងដែលមានសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ ដែលភាគច្រើនប្រើល្បាយនៃម្សៅ Si និងម្សៅ C ជាម្សៅបង្កប់ ម៉ាទ្រីសក្រាហ្វិតត្រូវបានដាក់ក្នុងម្សៅបង្កប់ ហើយការដុតកម្ដៅខ្ពស់ត្រូវបានអនុវត្តនៅក្នុងឧស្ម័នអសកម្ម។ ហើយទីបំផុតថ្នាំកូត SiC ត្រូវបានទទួលនៅលើផ្ទៃនៃម៉ាទ្រីសក្រាហ្វីត។ដំណើរការនេះគឺសាមញ្ញ ហើយការរួមផ្សំគ្នារវាងថ្នាំកូត និងស្រទាប់ខាងក្រោមគឺល្អ ប៉ុន្តែភាពឯកសណ្ឋាននៃថ្នាំកូតនៅតាមបណ្តោយទិសដៅនៃកម្រាស់គឺអន់ ដែលវាងាយស្រួលក្នុងការផលិតរន្ធច្រើន និងនាំឱ្យមានភាពធន់នឹងអុកស៊ីតកម្មមិនល្អ។
វិធីសាស្ត្រលាបថ្នាំជក់៖
វិធីសាស្រ្តនៃការស្រោបជក់គឺជាចម្បងដើម្បីដុសសម្អាតវត្ថុធាតុរាវនៅលើផ្ទៃនៃម៉ាទ្រីសក្រាហ្វីត ហើយបន្ទាប់មកព្យាបាលវត្ថុធាតុដើមនៅសីតុណ្ហភាពជាក់លាក់មួយដើម្បីរៀបចំថ្នាំកូត។ដំណើរការនេះគឺសាមញ្ញ ហើយការចំណាយគឺទាប ប៉ុន្តែថ្នាំកូតដែលរៀបចំដោយវិធីថ្នាំកូតជក់មានភាពទន់ខ្សោយក្នុងការរួមផ្សំជាមួយនឹងស្រទាប់ខាងក្រោម ភាពស្មើគ្នានៃថ្នាំកូតគឺអន់ ថ្នាំកូតគឺស្តើង និងធន់នឹងអុកស៊ីតកម្មទាប ហើយវិធីសាស្រ្តផ្សេងទៀតគឺត្រូវការជាជំនួយ។ វា។
វិធីសាស្ត្របាញ់ថ្នាំប្លាស្មា៖
វិធីសាស្ត្របាញ់ថ្នាំប្លាស្មា ជាចម្បងដើម្បីបាញ់វត្ថុធាតុដើមដែលរលាយ ឬពាក់កណ្តាលរលាយលើផ្ទៃនៃម៉ាទ្រីសក្រាហ្វិចដោយប្រើកាំភ្លើងប្លាស្មា ហើយបន្ទាប់មកធ្វើឱ្យរឹងមាំ និងស្អិតជាប់ដើម្បីបង្កើតជាថ្នាំកូត។វិធីសាស្រ្តនេះគឺសាមញ្ញក្នុងការដំណើរការ និងអាចរៀបចំថ្នាំកូតស៊ីលីកុនកាបែតក្រាស់ដែលទាក់ទងគ្នា ប៉ុន្តែថ្នាំកូតស៊ីលីកុនកាបូនដែលរៀបចំដោយវិធីសាស្ត្រនេះច្រើនតែខ្សោយពេក ហើយនាំឱ្យមានភាពធន់នឹងអុកស៊ីតកម្មខ្សោយ ដូច្នេះជាទូទៅវាត្រូវបានគេប្រើសម្រាប់ការរៀបចំថ្នាំកូត SiC ដើម្បីកែលម្អ។ គុណភាពនៃថ្នាំកូត។
វិធីសាស្ត្រ Gel-sol៖
វិធីសាស្រ្ត gel-sol ជាចម្បងដើម្បីរៀបចំដំណោះស្រាយសូលុយស្យុងឯកសណ្ឋាន និងថ្លា គ្របដណ្តប់លើផ្ទៃម៉ាទ្រីស ស្ងួតទៅជាជែល ហើយបន្ទាប់មក sintering ដើម្បីទទួលបានថ្នាំកូត។វិធីសាស្រ្តនេះគឺសាមញ្ញក្នុងដំណើរការ និងចំណាយតិច ប៉ុន្តែថ្នាំកូតដែលផលិតមានចំណុចខ្វះខាតមួយចំនួន ដូចជាធន់នឹងការឆក់កម្ដៅទាប និងងាយបំបែក ដូច្នេះវាមិនអាចប្រើបានយ៉ាងទូលំទូលាយនោះទេ។
ប្រតិកម្មឧស្ម័នគីមី (CVR)៖
CVR ជាចម្បងបង្កើតថ្នាំកូត SiC ដោយប្រើម្សៅ Si និង SiO2 ដើម្បីបង្កើតចំហាយ SiO នៅសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ ហើយប្រតិកម្មគីមីជាបន្តបន្ទាប់កើតឡើងលើផ្ទៃនៃស្រទាប់ខាងក្រោមសម្ភារៈ C ។ថ្នាំកូត SiC ដែលរៀបចំដោយវិធីសាស្រ្តនេះត្រូវបានផ្សារភ្ជាប់យ៉ាងជិតស្និទ្ធទៅនឹងស្រទាប់ខាងក្រោមប៉ុន្តែសីតុណ្ហភាពប្រតិកម្មគឺខ្ពស់ជាងហើយការចំណាយគឺខ្ពស់ជាង។
ការបញ្ចេញចំហាយគីមី (CVD)៖
នាពេលបច្ចុប្បន្ន CVD គឺជាបច្ចេកវិទ្យាចម្បងសម្រាប់ការរៀបចំថ្នាំកូត SiC លើផ្ទៃស្រទាប់ខាងក្រោម។ដំណើរការចម្បងគឺជាស៊េរីនៃប្រតិកម្មរូបវន្ត និងគីមីនៃសម្ភារៈប្រតិកម្មដំណាក់កាលឧស្ម័ននៅលើផ្ទៃស្រទាប់ខាងក្រោម ហើយទីបំផុតថ្នាំកូត SiC ត្រូវបានរៀបចំដោយការទម្លាក់នៅលើផ្ទៃស្រទាប់ខាងក្រោម។ថ្នាំកូត SiC ដែលរៀបចំដោយបច្ចេកវិទ្យា CVD ត្រូវបានភ្ជាប់យ៉ាងជិតស្និទ្ធទៅនឹងផ្ទៃនៃស្រទាប់ខាងក្រោម ដែលអាចធ្វើអោយប្រសើរឡើងនូវភាពធន់នឹងអុកស៊ីតកម្ម និងភាពធន់ទ្រាំ ablative នៃសម្ភារៈស្រទាប់ខាងក្រោម ប៉ុន្តែពេលវេលានៃការទម្លាក់ចោលនៃវិធីសាស្ត្រនេះគឺយូរជាង ហើយឧស្ម័នប្រតិកម្មមានជាតិពុលជាក់លាក់។ ឧស្ម័ន។
ពេលវេលាបង្ហោះ៖ ថ្ងៃទី០៦ ខែវិច្ឆិកា ឆ្នាំ២០២៣