បំពង់ furnace Silicon carbide មានកម្លាំងខ្ពស់ រឹងខ្ពស់ ធន់នឹងការពាក់ល្អ ធន់ទ្រាំនឹងសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ ធន់នឹងច្រេះ ធន់នឹងកំដៅល្អ និងធន់នឹងការឆក់ ចរន្តកំដៅធំ ធន់នឹងអុកស៊ីតកម្មល្អ និងមុខងារដ៏ល្អឥតខ្ចោះផ្សេងទៀត ដែលភាគច្រើនប្រើក្នុងការបញ្ចេញប្រេកង់មធ្យម កំដៅផ្សេងៗ។ ចង្រ្កានព្យាបាល លោហធាតុ ឧស្សាហកម្មគីមី លំហាត់ដែកមិនប្រើជាតិដែក និងមុខរបរផ្សេងៗទៀត។
លក្ខណៈពិសេសនៃបំពង់ស៊ីលីកុន carbide furnace
Silicon carbide furnace tube គឺជា silicon carbide ជាវត្ថុធាតុដើមសំខាន់ ផលិតផល silicon carbide ដ៏ល្អឥតខ្ចោះផលិតដោយការបាញ់កំដៅខ្ពស់ ធន់នឹងសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ ចរន្តកំដៅលឿន កម្លាំងខ្ពស់ រឹងខ្ពស់ ធន់នឹងការពាក់ល្អ ធន់នឹងកំដៅល្អ និងធន់នឹងការរញ្ជួយដី។ ចរន្តកំដៅ ភាពធន់នឹងអុកស៊ីតកម្មល្អ និងមុខងារដ៏ល្អឥតខ្ចោះផ្សេងទៀត នៅចុងទាំងពីរនៃការដំឡើងគម្របអ៊ីសូឡង់សីតុណ្ហភាពខ្ពស់ពិសេស។វាអាចជៀសវាងការច្រេះនៃដំណោះស្រាយលោហៈនៅលើធាតុកំដៅអគ្គិសនី (រួមទាំងកំណាត់ស៊ីលីកុន ខ្សែភ្លើងចង្ក្រាន។ ធន់នឹងអុកស៊ីតកម្ម ធន់នឹងការឆក់កំដៅ និងធន់នឹងសីតុណ្ហភាពខ្ពស់។
បច្ចេកវិទ្យានៃការផលិតបំពង់ស៊ីលីកុន carbide furnace
ផលិតផលនេះគឺស៊ីលីកុន carbide ជាវត្ថុធាតុដើមចម្បង តាមរយៈដំណើរការពិសេសនៃការដុតកំដៅខ្ពស់នៃផលិតផល silicon carbide ដ៏ល្អ ស្តង់ដារប្រវែងអាចត្រូវបានប្ដូរតាមបំណងតាមតម្រូវការជាក់ស្តែងរបស់អតិថិជន។
ការប្រើប្រាស់ដំបូងនៃបំពង់ស៊ីលីកុនកាបោន furnace
ត្រូវបានគេប្រើយ៉ាងទូលំទូលាយនៅក្នុងការហ្វឹកហាត់ដែកដែលមិនមានជាតិដែក ប្រព័ន្ធ degassing ផលិតផលអាលុយមីញ៉ូម ម៉ាស៊ីនបោះពុម្ព និងការជ្រលក់ពណ៌ ការហ្វឹកហាត់ស័ង្កសី និងអាលុយមីញ៉ូម និងការកែច្នៃផលិតផល និងមុខរបរផ្សេងៗទៀត។
ការអភិវឌ្ឍឧស្សាហកម្មនៃបំពង់ furnace silicon carbide
បំពង់ furnace Silicon carbide មានលក្ខណៈនៃ impedance បញ្ចូលខ្ពស់ សំលេងរំខានទាប លីនេអ៊ែរល្អ ។ល។ វាគឺជាឧបករណ៍មួយក្នុងចំនោមឧបករណ៍ silicon carbide ដែលកំពុងរីកចម្រើនយ៉ាងឆាប់រហ័ស ហើយវាត្រូវបានធ្វើពាណិជ្ជកម្មដំបូងគេ។បើប្រៀបធៀបជាមួយសមាសធាតុ MOSFET សមាសធាតុ JFET មិនមានបញ្ហាដែលអាចទុកចិត្តបានដែលបណ្តាលមកពីពិការភាពស្រទាប់អុកស៊ីហ្សែននៃច្រកទ្វារ និងការកំណត់នៃការចល័តរបស់ក្រុមហ៊ុនដឹកជញ្ជូនទាប និងរក្សាបាននូវសមត្ថភាពប្រតិបត្តិការប្រេកង់ខ្ពស់ដ៏ល្អដោយសារតែលក្ខណៈប្រតិបត្តិការ unipolar ។លើសពីនេះទៀតឧបករណ៍ JFET មានស្ថេរភាពប្រតិបត្តិការល្អ និងភាពជឿជាក់នៅសីតុណ្ហភាពខ្ពស់។ដោយសារតែរចនាសម្ព័ន្ធនៃច្រកទ្វារអេឡិចត្រូតនៃឧបករណ៍ silicon carbide JFET វ៉ុលកម្រិតចាប់ផ្ដើមរបស់ JFET ជាធម្មតាអវិជ្ជមាន ពោលគឺមានឧបករណ៍ទូទៅជាច្រើនទៀតដែលមិនអំណោយផលខ្លាំងចំពោះកម្មវិធីរបស់វាក្នុងវិស័យអេឡិចត្រូនិចថាមពល និងជា មិនឆបគ្នាជាមួយសៀគ្វីដ្រាយសកលបច្ចុប្បន្ន។តាមរយៈការណែនាំបច្ចេកវិទ្យាឧបករណ៍នៃការចាក់ groove ឬរចនាសម្ព័ន្ធ mesa groove ឧបករណ៍ដែលប្រសើរឡើងជាមួយនឹងស្ថានភាពប្រតិបត្តិការធម្មតាត្រូវបានបង្កើតឡើង។ទោះជាយ៉ាងណាក៏ដោយ ដោយសារឧបករណ៍ដែលបានពង្រឹងត្រូវបានបង្កើតឡើងភាគច្រើនដោយតម្លៃនៃលក្ខណៈធន់ទ្រាំផ្នែកខាងមុខជាក់លាក់ នោះវាងាយស្រួលក្នុងការសម្រេចបាននូវដង់ស៊ីតេថាមពលខ្ពស់ និងសមត្ថភាពបច្ចុប្បន្ននៃការបំបែកថេរ (ប្រភេទ depletion) JFET និងវិធីសាស្រ្តនៃការតភ្ជាប់ការបន្ថយ។ ប្រភេទឧបករណ៍ JFET ទៅនឹងខ្សែសង្វាក់ខាងលើត្រូវបានសម្រេចដោយការភ្ជាប់ MOSFETs ថ្នាក់ Si វ៉ុលទាបជាស៊េរី។សៀគ្វីដ្រាយនៃឧបករណ៍ JFET ដែលត្រូវបានកាត់ជាលក្ខណៈធម្មជាតិគឺត្រូវគ្នាជាមួយសៀគ្វីដ្រាយនៃឧបករណ៍ស៊ីលីកុនដែលមានគោលបំណងទូទៅ។រចនាសម្ព័ន្ធល្បាក់គឺសមរម្យណាស់សម្រាប់ស្ថានភាពវ៉ុលខ្ពស់និងទិន្នផលខ្ពស់ជាជាងឧបករណ៍ស៊ីលីកុន IGBT ប្រពៃណីដោយជៀសវាងដោយផ្ទាល់នូវបញ្ហាភាពឆបគ្នានៃសៀគ្វីដ្រាយ។
គុណសម្បត្តិនៃស៊ីលីកុន carbide មានដូចខាងក្រោម។
1, មុខងារផ្ទេរកំដៅគឺល្អ, ជញ្ជាំងបំពង់គឺស្តើង (តែពីរបីមីលីម៉ែត្រ), ការឆ្លើយតបនៃការផ្លាស់ប្តូរសីតុណ្ហភាពផលិតផលគឺក្តៅខ្លាំងណាស់;
2, មិនប៉ះពាល់ដល់ការ corrosion
3, សីតុណ្ហភាពខ្ពស់មិនរលាយ, លោហៈរាវគ្មានការបំពុល;
4, អាចត្រូវបានប្រើដើម្បីរំលាយសូដ្យូមនិង strontium សម្បូរយ៉ាន់ស្ព័រ;
5, រូបរាងនៃផលិតផលមិនត្រូវបានភ្ជាប់ទៅនឹង slag, ការការពារគឺសាមញ្ញណាស់;
6, ធន់ទ្រាំនឹងសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ 1600;
7. ធន់នឹងការឆក់កម្ដៅខ្លាំង
8, រឹងខ្ពស់, មិនងាយបំបែក
9 ចំណាយមានប្រសិទ្ធិភាព ជីវិតក្នុងរយៈពេលជាងកន្លះឆ្នាំ។
ខាងលើនេះគឺជាលក្ខណៈដំណើរការនៃបំពង់ស៊ីលីកុនកាបោន furnace tube ប្រសិនបើអ្នកចង់ដឹងបន្ថែមអ្នកអាចមានអារម្មណ៍ដោយឥតគិតថ្លៃក្នុងការទាក់ទងមកយើងខ្ញុំ!
ពេលវេលាផ្សាយ៖ ២៤-សីហា-២០២៣