ស៊ីលីកុនកាបូន CVD (SiC)
ទិដ្ឋភាពទូទៅ៖CVDស៊ីលីកុនកាបូនធំ (SiC)គឺជាសម្ភារៈដែលស្វែងរកបានខ្ពស់នៅក្នុងឧបករណ៍ប្លាស្មា etching ប្លាស្មា កម្មវិធីដំណើរការកំដៅរហ័ស (RTP) និងដំណើរការផលិត semiconductor ផ្សេងទៀត។ លក្ខណៈសម្បត្តិមេកានិច គីមី និងកម្ដៅដ៏ពិសេសរបស់វា ធ្វើឱ្យវាក្លាយជាសម្ភារៈដ៏ល្អសម្រាប់កម្មវិធីបច្ចេកវិទ្យាកម្រិតខ្ពស់ ដែលទាមទារភាពជាក់លាក់ខ្ពស់ និងធន់។
កម្មវិធីនៃ CVD Bulk SiC៖Bulk SiC គឺមានសារៈសំខាន់នៅក្នុងឧស្សាហកម្ម semiconductor ជាពិសេសនៅក្នុងប្រព័ន្ធប្លាស្មា etching ដែលសមាសធាតុដូចជា ចិញ្ចៀនផ្តោតអារម្មណ៍ ក្បាលផ្កាឈូកឧស្ម័ន ចិញ្ចៀនគែម និងបន្ទះចានទទួលបានអត្ថប្រយោជន៍ពីភាពធន់នឹងការ corrosion និងចរន្តកំដៅដ៏លេចធ្លោរបស់ SiC ។ ការប្រើប្រាស់របស់វាពង្រីកដល់RTPប្រព័ន្ធដោយសារតែសមត្ថភាពរបស់ SiC ដើម្បីទប់ទល់នឹងការប្រែប្រួលសីតុណ្ហភាពយ៉ាងឆាប់រហ័សដោយគ្មានការរិចរិលគួរឱ្យកត់សម្គាល់។
បន្ថែមពីលើឧបករណ៍ឆ្លាក់ CVDSiC ភាគច្រើនត្រូវបានគេពេញចិត្តនៅក្នុងឡដែលសាយភាយ និងដំណើរការលូតលាស់របស់គ្រីស្តាល់ ដែលតម្រូវឱ្យមានស្ថេរភាពកម្ដៅខ្ពស់ និងធន់នឹងបរិស្ថានគីមីដ៏អាក្រក់។ គុណលក្ខណៈទាំងនេះធ្វើឱ្យ SiC ក្លាយជាសម្ភារៈនៃជម្រើសសម្រាប់កម្មវិធីដែលមានតម្រូវការខ្ពស់ដែលពាក់ព័ន្ធនឹងសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ និងឧស្ម័នដែលច្រេះ ដូចជាសារធាតុដែលមានក្លរីន និងហ្វ្លុយអូរីន។
គុណសម្បត្តិនៃសមាសធាតុ CVD Bulk SiC៖
•ដង់ស៊ីតេខ្ពស់៖ជាមួយនឹងដង់ស៊ីតេ 3.2 ក្រាម / សង់ទីម៉ែត្រ³CVD ភាគច្រើន SiCសមាសធាតុមានភាពធន់នឹងការពាក់ និងផលប៉ះពាល់មេកានិកខ្ពស់។
•អនុភាពកម្ដៅ៖ផ្តល់នូវចរន្តកំដៅនៃ 300 W/m·K, SiC ភាគច្រើនគ្រប់គ្រងកំដៅប្រកបដោយប្រសិទ្ធភាព ដែលធ្វើឱ្យវាល្អសម្រាប់សមាសធាតុដែលប៉ះពាល់នឹងវដ្តកម្ដៅខ្លាំង។
•ភាពធន់នឹងគីមីពិសេស៖ប្រតិកម្មទាបនៃ SiC ជាមួយនឹងឧស្ម័ន etching រួមទាំងក្លរីន និងសារធាតុគីមីដែលមានមូលដ្ឋានលើ fluorine ធានានូវអាយុកាលនៃសមាសធាតុ។
•ភាពធន់អាចលៃតម្រូវបាន៖ CVD ភាគច្រើន SiCធន់ទ្រាំអាចត្រូវបានប្ដូរតាមបំណងក្នុងចន្លោះពី 10⁻²–10⁴ Ω-cm ដែលធ្វើឱ្យវាអាចសម្របខ្លួនទៅនឹងតម្រូវការផលិតកម្ម etching និង semiconductor ជាក់លាក់។
•មេគុណពង្រីកកំដៅ៖ជាមួយនឹងមេគុណពង្រីកកម្ដៅ 4.8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C) ស៊ីស៊ីស៊ីស៊ីស៊ីភាគច្រើនរបស់ CVD ទប់ទល់នឹងការឆក់កម្ដៅ ដោយរក្សាបាននូវលំនឹងវិមាត្រ សូម្បីតែក្នុងកំឡុងពេលកំដៅលឿន និងវដ្តត្រជាក់ក៏ដោយ។
•ភាពធន់នៅក្នុងប្លាស្មា៖ការប៉ះពាល់ទៅនឹងប្លាស្មា និងឧស្ម័នប្រតិកម្មគឺជៀសមិនរួចនៅក្នុងដំណើរការ semiconductor ប៉ុន្តែCVD ភាគច្រើន SiCផ្តល់នូវភាពធន់ខ្ពស់ចំពោះការ corrosion និងការរិចរិល កាត់បន្ថយភាពញឹកញាប់នៃការជំនួស និងការចំណាយលើការថែទាំទាំងមូល។
លក្ខណៈបច្ចេកទេស៖
•អង្កត់ផ្ចិត៖ធំជាង 305 ម។
•ភាពធន់៖អាចលៃតម្រូវបានក្នុងចន្លោះ 10⁻²–10⁴ Ω-cm
•ដង់ស៊ីតេ៖3.2 ក្រាម / សង់ទីម៉ែត្រ 3
•ចរន្តកំដៅ៖300 W/m·K
•មេគុណពង្រីកកំដៅ៖4.8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C)
ការប្ដូរតាមបំណង និងភាពបត់បែន៖នៅSemicera Semiconductorយើងយល់ថារាល់កម្មវិធី semiconductor អាចតម្រូវឱ្យមានការបញ្ជាក់ផ្សេងៗគ្នា។ នោះហើយជាមូលហេតុដែលសមាសធាតុ SiC ភាគច្រើន CVD របស់យើងអាចប្ដូរតាមបំណងបានយ៉ាងពេញលេញ ជាមួយនឹងភាពធន់អាចលៃតម្រូវបាន និងវិមាត្រដែលតម្រូវតាមតម្រូវការឧបករណ៍របស់អ្នក។ មិនថាអ្នកកំពុងបង្កើនប្រសិទ្ធភាពប្រព័ន្ធ etching plasma របស់អ្នក ឬស្វែងរកសមាសធាតុជាប់លាប់នៅក្នុង RTP ឬ diffusion process ទេ SiC ភាគច្រើន CVD របស់យើងផ្តល់នូវដំណើរការដែលមិនអាចប្រៀបផ្ទឹមបាន។
