ដំណើរការស្រោប SiC សម្រាប់ក្រុមហ៊ុនដឹកជញ្ជូន Graphite មូលដ្ឋាន SiC

យើងរក្សាការអត់ធ្មត់យ៉ាងជិតស្និទ្ធនៅពេលអនុវត្តថ្នាំកូត SiCដោយប្រើម៉ាស៊ីនដែលមានភាពជាក់លាក់ខ្ពស់ដើម្បីធានាបាននូវទម្រង់ឧបករណ៍ទប់ឯកសណ្ឋាន។យើងក៏ផលិតសម្ភារៈដែលមានលក្ខណៈសម្បត្តិធន់នឹងចរន្តអគ្គិសនីដ៏ល្អសម្រាប់ប្រើប្រាស់ក្នុងប្រព័ន្ធកំដៅដោយអាំងឌុចស្យុង។សមាសធាតុដែលបានបញ្ចប់ទាំងអស់មកជាមួយវិញ្ញាបនបត្រនៃការអនុលោមតាមភាពបរិសុទ្ធ និងវិមាត្រ។

ក្រុមហ៊ុនរបស់យើងផ្តល់ថ្នាំកូត SiCដំណើរការសេវាកម្មដោយវិធីសាស្ត្រ CVD លើផ្ទៃក្រាហ្វិច សេរ៉ាមិច និងវត្ថុធាតុផ្សេងទៀត ដូច្នេះឧស្ម័នពិសេសដែលមានកាបូន និងស៊ីលីកុនមានប្រតិកម្មនៅសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ ដើម្បីទទួលបានម៉ូលេគុល SiC ភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់ ម៉ូលេគុលដែលដាក់លើផ្ទៃវត្ថុធាតុស្រោប បង្កើតជាស្រទាប់ការពារ SIC ។SIC បានបង្កើតឡើងត្រូវបានភ្ជាប់យ៉ាងរឹងមាំទៅនឹងមូលដ្ឋានក្រាហ្វិចដែលផ្តល់ឱ្យមូលដ្ឋានក្រាហ្វិចមានលក្ខណៈសម្បត្តិពិសេសដូច្នេះធ្វើឱ្យផ្ទៃក្រាហ្វិចបង្រួម, គ្មានភាពផុយស្រួយ, ធន់ទ្រាំនឹងសីតុណ្ហភាពខ្ពស់, ធន់ទ្រាំនឹងការ corrosion និងធន់នឹងអុកស៊ីតកម្ម។

ដំណើរការ CVD ផ្តល់នូវភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់ និងដង់ស៊ីតេទ្រឹស្តីថ្នាំកូត SiCដោយគ្មាន porosity ។អ្វីដែលពិសេសជាងនេះទៅទៀត ដោយសារស៊ីលីកុនកាបូនគឺរឹងខ្លាំង វាអាចត្រូវបានប៉ូលាទៅផ្ទៃដូចកញ្ចក់។ថ្នាំកូតស៊ីលីកុនកាបូន CVD (SiC)ផ្តល់នូវគុណសម្បត្តិជាច្រើន រួមទាំងផ្ទៃដែលមានភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់ និងធន់នឹងការពាក់ខ្លាំង។ដោយសារផលិតផលស្រោបមានដំណើរការល្អក្នុងស្ថានភាពខ្វះចន្លោះ និងសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ ពួកវាគឺល្អសម្រាប់កម្មវិធីក្នុងឧស្សាហកម្ម semiconductor និងបរិស្ថានស្អាតជ្រុលផ្សេងទៀត។យើងក៏ផ្តល់ផលិតផល pyrolytic graphite (PG) ផងដែរ។