Graphite Susceptor ជាមួយ Silicon Carbide Coating, Wafer Carrier

ថ្នាំកូត CVD-SiC មានលក្ខណៈនៃរចនាសម្ព័ន្ធឯកសណ្ឋាន សម្ភារៈបង្រួម ធន់នឹងសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ ធន់នឹងអុកស៊ីតកម្ម ភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់ ធន់នឹងអាស៊ីត និងអាល់កាឡាំង និងសារធាតុប្រតិកម្មសរីរាង្គ ជាមួយនឹងលក្ខណៈសម្បត្តិរូបវន្ត និងគីមីមានស្ថេរភាព។
បើប្រៀបធៀបជាមួយវត្ថុធាតុក្រាហ្វិចដែលមានភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់ ក្រាហ្វិចចាប់ផ្តើមកត់សុីនៅសីតុណ្ហភាព 400C ដែលនឹងបណ្តាលឱ្យបាត់បង់ម្សៅដោយសារតែការកត់សុី ដែលបណ្តាលឱ្យមានការបំពុលបរិស្ថានដល់ឧបករណ៍បរិក្ខារបរិក្ខារ និងបន្ទប់បូមធូលី និងបង្កើនភាពមិនបរិសុទ្ធនៃបរិស្ថានដែលមានភាពបរិសុទ្ធខ្ពស់។
ទោះជាយ៉ាងណាក៏ដោយ ថ្នាំកូត SiC អាចរក្សាស្ថេរភាពរូបវន្ត និងគីមីនៅ 1600 ដឺក្រេ វាត្រូវបានគេប្រើយ៉ាងទូលំទូលាយនៅក្នុងឧស្សាហកម្មទំនើប ជាពិសេសនៅក្នុងឧស្សាហកម្ម semiconductor ។