ស្រទាប់ខាងក្រោម Silicon Carbide | SiC Wafers

ការពិពណ៌នាសង្ខេប៖

WeiTai Energy Technology Co., Ltd. គឺជាក្រុមហ៊ុនផ្គត់ផ្គង់ឈានមុខគេដែលមានឯកទេសខាងសម្ភារៈប្រើប្រាស់ wafer និង semiconductor កម្រិតខ្ពស់។យើងឧទ្ទិសដល់ការផ្តល់នូវផលិតផលដែលមានគុណភាពខ្ពស់ គួរឱ្យទុកចិត្ត និងប្រកបដោយភាពច្នៃប្រឌិតដល់ការផលិត semiconductor ឧស្សាហកម្ម photovoltaic និងផ្នែកពាក់ព័ន្ធផ្សេងទៀត។

ខ្សែផលិតផលរបស់យើងរួមមានផលិតផលក្រាហ្វិចស្រោប SiC/TaC និងផលិតផលសេរ៉ាមិច ដែលគ្របដណ្តប់លើសម្ភារៈផ្សេងៗដូចជាស៊ីលីកុន កាបូន ស៊ីលីកុននីត្រាត និងអុកស៊ីដអាលុយមីញ៉ូមជាដើម។

នាពេលបច្ចុប្បន្ននេះ យើងគឺជាក្រុមហ៊ុនផលិតតែមួយគត់ដែលផ្តល់នូវភាពបរិសុទ្ធ 99.9999% SiC coating និង 99.9% recrystallized silicon carbide ។ប្រវែងថ្នាំកូត SiC អតិបរមាដែលយើងអាចធ្វើបាន 2640mm ។

ផ្ញើអ៊ីមែលមកយើង

ព័ត៌មានលម្អិតអំពីផលិតផល

ស្លាកផលិតផល

Silicon carbide (SiC) សម្ភារៈគ្រីស្តាល់តែមួយមានទទឹងគម្លាតក្រុមធំ (~Si 3 ដង) ចរន្តកំដៅខ្ពស់ (~Si 3.3 ដង ឬ GaAs 10 ដង) អត្រាតិត្ថិភាពនៃការផ្លាស់ប្តូរអេឡិចត្រុងខ្ពស់ (~Si 2.5 ដង) ការបំបែកចរន្តអគ្គិសនីខ្ពស់ វាល (~ Si 10 ដង ឬ GaAs 5 ដង) និងលក្ខណៈលេចធ្លោផ្សេងទៀត។

ឧបករណ៍ SiC មានគុណសម្បត្តិដែលមិនអាចជំនួសបានក្នុងវិស័យសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ សម្ពាធខ្ពស់ ប្រេកង់ខ្ពស់ ឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិកដែលមានថាមពលខ្ពស់ និងកម្មវិធីបរិស្ថានខ្លាំងដូចជា លំហអាកាស យោធា ថាមពលនុយក្លេអ៊ែរ ជាដើម ដែលបង្កើតឡើងសម្រាប់ពិការភាពនៃឧបករណ៍សម្ភារៈ semiconductor ប្រពៃណីក្នុងការអនុវត្តជាក់ស្តែង។ កម្មវិធី និងកំពុងក្លាយជាចរន្តសំខាន់នៃថាមពល semiconductors បន្តិចម្តងៗ។

លក្ខណៈបច្ចេកទេសនៃស្រទាប់ខាងក្រោមស៊ីលីកុនកាបូន 4H-SiC

ធាតុ项目	លក្ខណៈពិសេស 参数
ពហុប្រភេទ 晶型	4H -SiC	6H- SiC
អង្កត់ផ្ចិត 晶圆直径	2 អ៊ីញ \|3 អ៊ីញ \|4 អ៊ីញ \|6 អ៊ីញ	2 អ៊ីញ \|3 អ៊ីញ \|4 អ៊ីញ \|6 អ៊ីញ
កម្រាស់ 厚度	330 μm ~ 350 μm	330 μm ~ 350 μm
ចរន្តអគ្គិសនី 导电类型	N - ប្រភេទ / ពាក់កណ្តាលអ៊ីសូឡង់ N型导电片/ 半绝缘片	N - ប្រភេទ / ពាក់កណ្តាលអ៊ីសូឡង់ N型导电片/ 半绝缘片
សារធាតុពុល 掺杂剂	N2 (អាសូត)V (វ៉ាណាដ្យូម)	N2 (អាសូត) V (វ៉ាណាដ្យូម)
ការតំរង់ទិស 晶向	នៅលើអ័ក្ស <0001> អ័ក្សបិទ <0001> បិទ 4°	នៅលើអ័ក្ស <0001> អ័ក្សបិទ <0001> បិទ 4°
ភាពធន់ 电阻率	0.015 ~ 0.03 ohm-cm (4H-N)	0.02 ~ 0.1 ohm-cm (6H-N)
ដង់ស៊ីតេមីក្រូបំពង់ (MPD) 微管密度	≤10/cm2 ~ ≤1/cm2	≤10/cm2 ~ ≤1/cm2
ធីធីវី 总厚度变化	≤ 15 μm	≤ 15 μm
Bow / Warp 翘曲度	≤25 μm	≤25 μm
ផ្ទៃ 表面处理	DSP/SSP	DSP/SSP
ថ្នាក់ 产品等级	ផលិតកម្ម / ថ្នាក់ស្រាវជ្រាវ	ផលិតកម្ម / ថ្នាក់ស្រាវជ្រាវ
លំដាប់នៃការជង់គ្រីស្តាល់ 堆积方式	ABCB	ABCABC
ប៉ារ៉ាម៉ែត្របន្ទះឈើ 晶格参数	a=3.076A , c=10.053A	a=3.073A , c=15.117A
ឧទាហរណ៍/eV(Band-gap) 禁带宽度	3.27 អ៊ីវី	3.02 អ៊ីវី
ε(ថេរ Dielectric) 介电常数	៩.៦	៩.៦៦
សន្ទស្សន៍ចំណាំងបែរ 折射率	n0 =2.719 ne =2.777	n0 = 2.707 , ne = 2.755

លក្ខណៈបច្ចេកទេសនៃស្រទាប់ខាងក្រោម 6H-SiC Silicon Carbide

ធាតុ项目	លក្ខណៈពិសេស 参数
ពហុប្រភេទ 晶型	6H-SiC
អង្កត់ផ្ចិត 晶圆直径	4 អ៊ីញ \|6 អ៊ីញ
កម្រាស់ 厚度	350μm ~ 450μm
ចរន្តអគ្គិសនី 导电类型	N - ប្រភេទ / ពាក់កណ្តាលអ៊ីសូឡង់ N型导电片/ 半绝缘片
សារធាតុពុល 掺杂剂	N2 (អាសូត) វី (វ៉ាណាដ្យូម)
ការតំរង់ទិស 晶向	<0001> បិទ 4°± 0.5°
ភាពធន់ 电阻率	0.02 ~ 0.1 ohm-cm (ប្រភេទ 6H-N)
ដង់ស៊ីតេមីក្រូបំពង់ (MPD) 微管密度	≤ 10/cm2
ធីធីវី 总厚度变化	≤ 15 μm
Bow / Warp 翘曲度	≤25 μm
ផ្ទៃ 表面处理	Si Face: CMP, Epi-Ready មុខ C: ប៉ូឡូញអុបទិក
ថ្នាក់ 产品等级	ថ្នាក់ស្រាវជ្រាវ